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本发明公开一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上制备周期性纳米光刻胶点阵图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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