【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别涉及。
技术介绍
在半导体器件制造前段的过程中，对晶圆的处理需要经过激光首次打标(ZeroMark)，外延层的生长(EPI)，浅沟槽隔离结构的光刻(SDG PHOTO)等工艺步骤。其中，利用激光在晶圆表面设置对位标记可以为后续的浅沟槽隔离结构的光刻步骤提供前层对位的 标记。在光刻的过程中，如果由于对位不准而引起错位，会造成图形歪曲或套准失准，最终影响到所制造的半导体器件的电特性。因此，在整个晶圆制造工艺流程中，保持对位标记的清晰度有着很重要的意义。然而，就目前普遍采用的工艺流程来说，在外延层生长后，由于外延层半透明的特性，会使底层的对位标记变得很不清晰，从而造成后续的光刻经常对位失败。图I是现有技术中激光打标后，外延层生长前的晶圆示意图，图2是现有技术中激光打标后，外延层生长后的晶圆示意图，如图I、图2所示，101是外延层生长前的对位标记,201是外延层生长后的对位标记。由图可以看出，在外延层生长后，对位标记清晰度明显降低。为了能看清底层的对位标记，只能增加激光首次打标的深度，但是，这样也会有很多其它的负面影响。专利技术...
【技术保护点】
一种提高对位标记清晰度的方法，包括：在晶圆表面刻蚀对位标记；在所述晶圆上进行外延层的生长；去除覆盖对位标记部分的外延层，使得晶圆表面的对位标记露出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡骏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。