【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米结构制备和应用
，尤其涉及一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法。
技术介绍
纳米加工技术是纳米技术中最重要的基础技术，半导体纳米器件技术的发展很大程度上依赖于微纳米加工技术的不断进步。纳米加工技术的主要研究内容是制备加工特征尺寸为O. f IOOnm范围的纳米结构，以期获得一定的小尺寸效应。在现有的纳米制造技术中，光学光刻技术仍然是当前光刻的主流技术，其性能稳 定、技术成熟、成本低廉，但由于存在光刻板衍射等限制，最小线宽很难继续做小。纳米光刻技术中，电子束曝光、聚焦离子束曝光、纳米压印以及激光干渉曝光均可以制作纳米尺度的图形或微结构，但是它们受各自设备的技术限制，很难进一歩提升图形制备的精度。因此为了适应小尺寸纳米器件的制作，迫切需要寻找ー种简单实用、高效率、低成本的提升纳米制备精度的技术。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的缺陷，提出一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，以得到线宽精度更高的倍频V形纳米硅槽衬底。为了解决上述问题，本专利技术提供一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括如下步骤步骤I，在硅(Si)衬底上沉积ニ氧化硅(Si...
【技术保护点】
一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层；步骤2，在所述二氧化硅掩膜层之上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形；步骤3，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层；步骤4，将步骤3得到的衬底放入腐蚀液进行腐蚀，将光刻胶光栅图形倍频转移至硅层上；步骤5，利用氢氟酸溶液去除二氧化硅掩膜层，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的倍频V形纳米硅槽衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴隆贵，丁芃，陈弘，贾海强，王文新，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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