一种氧空位可调的三维有序大孔ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物、制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种氧空位可调的三维有序大孔ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物、制备方法及其应用。与现有技术相比，本发明专利技术通过乙二醇作为溶剂，可有效控制该胶体的形成速率，无需添加任何酸碱调控剂，便可实现成胶速率的调控及三维有序大孔ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物的制备。同时，依据铜离子存在可变价态，并形成铜离子和锌离子共同夺氧情形，故采取硝酸铜、硝酸锌的物质量之比的调节，便可方便地实现ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物中氧空位浓度的调变，从而提高其光催化性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光催化功能材料领域，具体涉及一种氧空位可调的三维有序大孔ZnO-Cu2O-T12。
技术介绍
半导体材料，因其具有特殊的电子结构，在能源、环境等领域展示了显著的发展潜力，受到广泛关注。在众多的半导体材料之中，氧化钛因其具有绿色无毒、价格低廉、性质稳定等特性，是最受关注的半导体材料之一。众所周知，二氧化钛在光、电、磁等方面具有特殊的性能，特别是在新能源、光催化环境净化、传感等领域得到广泛应用，故其具有不可估量的研究开发价值和市场应用。作为催化功能材料，其化学组成、微观结构对其催化性能的影响十分显著。最近研究显示，在半导体材料中引入掺杂元素，能够促进其对光催化有显著影响的氧空位的生成，半导体催化材料的氧空位对其催化性能影响十分显著(Science, 2011, 331 (6018): 746-750)，往往较其单一组分半导体材料具有更加优异的物理和化学性能。目前，构筑氧空位多采用高温还原或淬火技术，操作过程不仅复杂而且成本高。虽然近年来已有相关报道采取掺杂法可以实现氧空位构筑，但由于高温焙烧条件，对1102的掺杂往往多以二价铜(CuO)形式存在，显然，二价氧化铜(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧空位可调的三维有序大孔ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物，其特征在于，所述氧空位可调的三维有序大孔ZnO‑Cu2O‑TiO2复合氧化物为ZnO和Cu2O双组份掺杂的复合氧化物，三维有序大孔结构，孔道连续有序，大孔孔径为150nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仁春，卢小佳，刘琪，张欢，朱玲婷，
申请(专利权)人：安徽工程大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34