一种FinFet器件源漏外延设备及方法技术

本发明专利技术提供了一种FinFet器件源漏外延设备及方法，其中前者包括：主腔室；至少一个装片室；中转腔，中转腔内设置有机械手臂；至少一个腐蚀腔，腐蚀腔中设置有石墨基座；至少一个外延反应腔；用于向主腔室、装片室、中转腔、腐蚀腔和外延反应腔中供应气体的气体分配装置；用于给设备抽真空的抽真空装置；装片室、中转腔、腐蚀腔和外延反应腔均位于主腔室中。本发明专利技术提供的FinFet器件源漏外延设备通过将腐蚀腔和外延反应腔集成到一起，可以在隔绝水氧的条件下进行外延反应前晶圆表面自然氧化层的去除，能更好的隔绝水氧与晶圆表面的接触，避免了晶圆表面再次生成自然氧化层，提高了外延工艺的选择性以及器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
201510028853

【技术保护点】
一种FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，包括：主腔室；至少一个用于加载晶圆的装片室；用于晶圆流转的中转腔，所述中转腔内设置有用于转移晶圆的机械手臂；至少一个用于去除晶圆表面自然氧化层的腐蚀腔，所述腐蚀腔中设置有用于放置晶圆的石墨基座；至少一个用于外延反应的外延反应腔；用于向所述主腔室、所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔中供应气体的气体分配装置；用于给设备抽真空的抽真空装置；所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔均位于所述主腔室中。

【技术特征摘要】
1.一种FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，包括：主腔室；至少一个用于加载晶圆的装片室；用于晶圆流转的中转腔，所述中转腔内设置有用于转移晶圆的机械手臂；至少一个用于去除晶圆表面自然氧化层的腐蚀腔，所述腐蚀腔中设置有用于放置晶圆的石墨基座；至少一个用于外延反应的外延反应腔；用于向所述主腔室、所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔中供应气体的气体分配装置；用于给设备抽真空的抽真空装置；所述装片室、所述中转腔、所述腐蚀腔和所述外延反应腔均位于所述主腔室中。2.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述装片室具有两个，所述外延反应腔具有两个。3.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述腐蚀腔为特氟仑材质。4.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述气体分配装置包括用于提供惰性气体的第一气体分配装置和用于提供氢氟酸反应气的第二气体分配装置。5.根据权利要求4所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所述惰性气体为N2，所述氢氟酸反应气包括体积分数不超过30％的无水氢氟酸气体、稀释气体和催化气体，其中，所述稀释气体为N2或H2，所述催化气体为醇类气体。6.根据权利要求1所述的FinFet器件源漏外延设备，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，崔虎山，殷华湘，李俊峰，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11