【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶薄膜的生产领域，尤其涉及一种新型硅片生产外延设备及其系统。
技术介绍
太阳能电池片的加工制造是太阳能产业链中的关键环节。目前太阳能电池片多为硅材料，包括单晶硅片、多晶硅片和硅薄膜电池片。单晶硅电池转换效率高，技术也成熟。但由于受单晶硅材料价格高及电池工艺繁琐的影响(拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英坩锅等)，致使单晶硅成本价格居高不下。多晶硅片的生产目前国际上多采用西门子法及其改进方法。但其对于多晶硅料的纯度要求较高，一般需达到99. 9999% (称为6N级)以上，才能达到太阳能电池的要求。且多晶硅料的提炼需要较大资金投入、较多能源消耗和较高的技术门槛。硅薄膜太阳电池片是通过外延设备在硅片或其他材料基片上生长多/单晶硅薄膜(30 50 μ m)。其中，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层，保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性。同时，硅片可以是低成本的工业级硅或硅废料，使得高成本材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。因此，对于硅薄膜太阳能电池片的研究越来越受到研究人员的重视。目前，硅薄膜太阳能电池片的加工方法主要有氧离子注入法...
【技术保护点】
１．一种新型硅片生产外延设备，其特征在于：包括硅片载盘、外延反应室，所述的外延反应室内设置有外延反应器，所述的外延反应器包括传动轴、卤素灯组、反应隔离罩、气体入口连接体、气体出口连接体、反应器框架，所述的传动轴上至少有两个滚轮，所述的硅片载盘设置在所述的滚轮上，所述的反应隔离罩是一个两端分别设置有供所述硅片载盘通过的入口、出口、而其它部分均封闭的罩体；所述的传动轴设置在所述反应隔离罩下方、并固定在所述的反应器框架上，所述的反应隔离罩的底板在每个滚轮上方位置上开有一个窗口，所述的滚轮的顶部通过所述的窗口突出到所述的隔离罩内；所述的卤素灯组设置在所述反应隔离罩的上方，并安装在一...
【技术特征摘要】
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