【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED外延片生产
，特别涉及一种LED外延片沉积方法、II1-V半导体材料层沉积方法及用于实施该方法的沉积设备。
技术介绍
自氮化镓(GaN)基第三代半导体材料的兴起，蓝光发光二极管(LED)外延结构研制成功，发光二极管芯片的发光强度和白光发光效率不断提高。半导体发光元件被认为是下一代进入通用照明领域的新型光源，因此得到广泛关注。现有技术中的氮化镓LED外延片通常包括依次层叠的N型氮化镓材料层、铟钾氮/氮化镓材料量子阱层和P型氮化镓材料层。沉积所述氮化镓LED外延片的方法通常包括:提供一反应腔，待处理衬底设置在反应腔中；向所述反应腔中通入氢气，所述氢气作为所述反应腔中的环境气体，向所述反应腔中通入镓源(如:三甲基镓(TMG))和氮源气体(氨气(NH3))，同时通入N型掺杂气体，所述镓源和所述氮源气体在氢气环境气体的环境中反应并在所述衬底上沉积形成一层N型氮化镓材料层；接着，向所述反应腔中通入如氮气，所述氮气作为所述反应腔中的环境气体，向所述反应腔中通入镓源、铟源和氮源气体，所述镓源、铟源和氮源气体在氮气环境气体的环境中反应并在所述N型氮化镓材...
【技术保护点】
一种LED外延片沉积方法所述LED外延片包括衬底、N型含镓III?V族半导体材料层、含镓III?V族半导体材料量子阱层和P型含镓III?V族半导体材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入氮气或氮气与惰性气体的混合气体作为反应腔环境气体；向所述反应腔中通入V族源气体和包含镓源的III族源；所述V族源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型含镓III?V族半导体材料层、所述含镓III?V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓III?V族半导体材料层。
【技术特征摘要】
1.一种LED外延片沉积方法所述LED外延片包括衬底、N型含镓II1-V族半导体材料层、含镓II1-V族半导体材料量子阱层和P型含镓II1-V族半导体材料层；所述LED外延片沉积方法包括:提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入氮气或氮气与惰性气体的混合气体作为反应腔环境气体；向所述反应腔中通入V族源气体和包含镓源的III族源；所述V族源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型含镓II1-V族半导体材料层、所述含镓II1-V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓II1-V族半导体材料层。2.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于:所述N型含镓II1-V族半导体材料层、所述含镓II1-V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓II1-V族半导体材料层分别为N型含镓氮化III族半导体材料层、含镓氮化III族半导体材料量子阱层和P型含镓氮化III族半导体材料层；所述通入氮气与总的环境气体的流量比例大于等于1: 10。3.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于:沉积所述N型含镓II1-V族半导体材料层、所述含镓II1-V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓II1-V族半导体材料层过程中，所述反应腔环境气体均为氮气。4.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于:所述N型含镓II1-V族半导体材料层和所述P型含镓II1-V族半导体材料层分别为镓的V族化合物半导体材料层和所述P型镓的V族化合物半导体材料层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的LED外延片沉积方法，其特征在于:所述N型含镓II1-V族半导体材料层和所述P型含镓II1-V族半导体材料层分别为N型氮化镓半导体材料层和P型氮化镓半导体材料层，所述III族源为镓源，所述V族源气体为氮源气体。6.根据权利要求5所述的LED外延片沉积方法，其特征在于:所述含镓II1-V族半导体材料量子阱层为 InGaN/GaN、InAlGaN/GaN、InGaN/AlGaN 或 InAlGaN/AlGaN 量子阱层；沉积所述含镓II1-V族 半导体材料量子阱层的过程中，所述III族源气体为镓源、铟源和氮源气体的混合气体、铝源和氮源的混合气体或...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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