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本发明涉及一种LED外延片沉积方法所述LED外延片包括衬底、N型含镓III-V族半导体材料层、含镓III-V族半导体材料量子阱层和P型含镓III-V族半导体材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应...
该专利属于光达光电设备科技（嘉兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光达光电设备科技（嘉兴）有限公司授权不得商用。

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