GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备技术

本发明专利技术提出了一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备。
技术介绍
GaN基LED自从20世纪90年代初商业化以来，经过二十几年的发展，已经开始全面进入通用照明领域，随着LED应用范围的进一步扩大，各领域对LED的发光效率、使用寿命和性价比等指标提出了越来越高的要求。GaN基LED的发光效率、使用寿命和性价比等指标无一不与其所采用的衬底息息相关。蓝宝石衬底和碳化硅衬底是目前GaN基LED器件的两大主流衬底。蓝宝石衬底生产技术相对成熟、化学稳定性好、机械强度高，但其导热性差，不利于LED使用寿命的提高；且不易于向大尺寸方向发展。碳化硅衬底是电和热的良导体，且具有化学稳定性好的优势，在半导体照明
具有重要地位，但其价格高昂，性价比较差。有鉴于上述两者的缺点，提出了采用硅作为衬底。与蓝宝石衬底和碳化硅衬底相比，首先，硅衬底是电的良导体，可以实现电流在LED芯片内部纵向流动，从而可以通过增加LED的发光面积提高其发光效率；其次，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN外延片的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供设备，所述设备包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥2；提供支撑衬底，将所述支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室中形成成核层；将形成有所述成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔室中形成含有Ga元素的缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种GaN外延片的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供设备，所述设备包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥2；
提供支撑衬底，将所述支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室
中形成成核层；
将形成有所述成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔
室中形成含有Ga元素的缓冲层。
2.如权利要求1所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述缓冲层
的材料包括ⅢA族和ⅤA族中的元素。
3.如权利要求2所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述缓冲层
的材料为AlGaN或AlGaN与GaN的混合。
4.如权利要求1所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述支撑衬
底为硅衬底。
5.如权利要求1所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述成核层
的材料包括AlN、Al或Al2O3中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述GaN
外延片还包括形成在所述缓冲层表面的GaN外延层。
7.如权利要求6所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述GaN
外延层依次包括N型GaN外延层、有源层和P型GaN外延层。
8.如权利要求6所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述设备包
括2个反应腔室，所述GaN外延层和缓冲层在同一个反应腔室中形成。
9.如权利要求6所述的GaN外延片的制作方法，其特征在于，所述设备至
少包括3个反应腔室，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东昇，丁海生，陈善麟，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33