金刚石（111）面上的石墨烯制备方法技术

一种金刚石(111)面上的石墨烯制备方法，其主要步骤为：1)在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层：把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统的腔体中衬底托上，生长金刚石过渡层；2)在金刚石过渡层上生长B掺杂的金刚石膜；3)退火自组织形成石墨烯。本发明专利技术可以制备出的样品尺寸比较大，从纳米尺度到微米甚至毫米尺度。本发明专利技术的自组装生长石墨烯的方法简便，比较容易实现，且发明专利技术中所生长的石墨烯面积可控性较高，可以达到目前多数方法所不能实现的微米尺寸以上。此外，由于金刚石的很多优异特性，以及掺硼金刚石衬底的不对称性，使得在硼掺杂金刚石衬底上形成的石墨烯更容易产生能隙，从而更有利于石墨烯在器件中的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯的制备方法，特别是涉及一种通过化学气相沉积金刚石膜 方法和生长过程中的B掺杂与退火技术，在金刚石(111)面上自组装地制备石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯具有理想的二维结构格子，因为其优异的导热、耐磨和电子输运特性，因此 在多个领域显示出巨大的应用潜力。近年来，石墨烯已经成为研究的热点。最早的石墨 烯是通过对高取向的热解石墨采用微机械剥离或者化学脱落的方法而获得的，如对比文 献“原子尺度碳膜中的电场效应(Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films) ”，载于《Science》，2004，Vol. 306，No. 5696 :666-669 所公开，和“二维原子晶体 (Two-dimensional atomic crystals)，，,载于《Proceedings of the NationalAcademy of Sciences of the United States of America》，2005，Vol. 102，No. 30 :10451-10453 所 公开；后来又有热解碳化硅(SiC)制备石墨烯的方法，以及在碳化硅衬底上气相外延生长 石墨烯的方法，如对比文献“外延石墨烯中的散射和干涉(Scattering and interference in 印itaxial graphene) ”，载于《Science》，2007，Vol. 317，No. 5835 :219-222 所公 开；最近，人们又发展了一种对含有碳的单晶钌进行退火处理获得石墨烯的方法，如对 比文献“在Ru(OOOl)上生长的高取向，厘米尺度，连续的单晶石墨烯(HighlyOrdered， Millimeter-Scale, Continuous, Single-Crystalline GrapheneMonolayer Formed on Ru(OOOl) ”，载于《Advanced Materials)), 2009, Vol. 21，No. 27 :2777 所公开。石墨烯是一种零带隙半导体，对于它在器件方面的应用来说，如何产生一个带隙 是很关键的。对于上述的剥离和退火制备石墨烯的方法，并不能满足产生带隙的目的，不利 于石墨烯在器件方面的应用。而对于在碳化硅上生长的石墨烯，因为晶格失配能够产生带 隙，但是碳化硅上生长石墨烯的面积很难控制，不能满足石墨烯在器件上应用的需求。因 此，采用目前的方法制备石墨烯无论是衬底材料还是石墨烯的质量都存在问题，限制了对 其性能的研究和器件的研制。金刚石具有优异物理和化学性能，是制作高可靠性和高性能器件的理想材料，在 金刚石上制备出石墨烯，对研制高性能的石墨烯器件是非常价值的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以解决公知技 术所制备的石墨烯不能满足其在器件方面的实际应用的问题，以及在不同衬底上制备石墨 烯的研究不足的现状。为实现上述目的，本专利技术提供的，其主要步 骤为1)在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统 的腔体中衬底托上，生长金刚石过渡层；2)在金刚石过渡层上生长B掺杂的金刚石膜；3)退火自组织形成石墨烯。所述的制备方法中，衬底为金刚石、单晶硅、钼、铜或铁等。所述的制备方法中，衬底中对金刚石衬底使用超声清洗方法依次用丙酮与酒精来 清洗衬底；对非金刚石衬底，再用金刚石研磨膏对衬底表面进行机械研磨处理，时间应控制 在1至10分钟；或将非金刚石衬底放入金刚石粉悬浊液中进行超声处理，时间应控制在10 至60分钟，以提高金刚石的形核密度，然后再依次用丙酮与酒精超声清洗处理后的衬底， 以获得干净的衬底用于金刚石的生长。所述的制备方法中，金刚石粉悬浊液的液体是去离子水或酒精；金刚石研磨膏或 金刚石粉的颗粒尺寸小于ι μ m。所述的制备方法中，步骤2是把衬底热灯丝化学气相沉积方法外，还可以是微波、 直流、射频、热阴极或喷射等离子化学气相沉积方法进行金刚石生长。所述的制备方法中，热灯丝化学气相沉积方法进行金刚石生长的条件为通入甲 烷和氢气，体积比为0. 5-6 100，灯丝温度为2000-2300°C，通过调节衬底与灯丝间距离使 衬底温度在700-1000°C范围内，反应气压为3-8kPa，生长时间为0. 5-1小时，得到金刚石外 延膜或(111)取向的金刚石膜或分散的颗粒，过渡层厚度控制在0. 5-1μπι，或晶粒尺寸控 制为 0. 5-2 μ m。所述的制备方法中，步骤2的B掺杂采用氢气携带的有机液体B源、固态B源或B 离子注入方法。所述的制备方法中，步骤3是把经步骤2处理过的衬底放在热灯丝化学气相沉 积系统中，对B掺杂的金刚石(111)面进行退火，退火条件是通入甲烷和氢气，体积比 为0.2-1 100，灯丝温度为2000-2300°C，通过调节衬底与灯丝间距离使衬底温度在 600-900°C范围内，气压为3-8kPa，退火时间为0. 1-0. 5小时，得到不同原子层厚度的石墨 烯，由此形成金刚石(111)面上的石墨烯。本专利技术的优点在于本专利技术的在硼掺杂金刚石(111)表面上进行石墨烯生长的过程是一种自组装的 形成过程。自组装方法本身具有很大优势，制备的样品一般具有新奇的性质，并且可以制备 出的样品尺寸比较大，从纳米尺度到微米甚至毫米尺度。本专利技术所述自组装生长石墨烯的 方法简便，比较容易实现，且专利技术中所生长的石墨烯面积可控性较高，可以达到目前多数方 法所不能实现的微米尺寸以上。此外，由于金刚石的很多优异特性，以及掺硼金刚石衬底的 不对称性，使得在硼掺杂金刚石衬底上形成的石墨烯更容易产生能隙，从而更有利于石墨 烯在器件中的应用。本专利技术优选的是热灯丝化学气相沉积系统，该系统造价低，结构简单，可以在较宽 的范围内改变压强、气体成分、比例和反应温度等生长条件，方便的控制所生长金刚石晶粒 的尺寸和密度，以及掺硼的浓度，具有很大灵活性。本专利技术是一种既具有低造价和高灵活 性，又可以实现不同尺寸的金刚石(111)晶面上制备面积可控性强的高性能石墨烯的方法。附图说明图1为本专利技术在金刚石(111)面上制备石墨烯的的流程2为本专利技术得到的金刚石(111)面上的石墨烯形貌图附图中主要标号说明1-石墨烯；2-衬底；3-金刚石过渡层；4-B掺杂的(111)金刚石。 具体实施例方式本专利技术提供了一种在高性能衬底上可控制备石墨烯的方法，为开展新的石墨烯 的制备和器件应用研究奠定基础，从而通过化学气相沉积方法和B掺杂技术，在金刚石的 (111)晶面上生长出一层B掺杂的金刚石薄膜，然后借助退火技术，控制B掺杂的位置，实现 表面碳原子层由金刚石结构向石墨烯结构的自组装转变。从而实现金刚石(111)晶面上的 石墨烯。这种金刚石上的石墨烯制备方法，将金刚石和石墨烯两种具有优异性质的材料结 合到一起，对石墨烯在器件上的实际应用提供了可能，将会产生重要影响。本专利技术的技术方案是以天然金刚石(111)面、高温高压金刚石(111)面或其它非金刚石基片为衬底，通 过化学气相沉积系统中制备B掺杂的外延金刚石膜、(111)晶面取向的金刚石晶粒或薄膜， 并借助退火技术实现的，具体步骤如下1)首先使用超声清洗方法，依次用丙酮与酒本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种金刚石（１１１）面上的石墨烯制备方法，其主要步骤为：１）在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层：把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统的腔体中衬底托上，生长金刚石过渡层；２）在金刚石过渡层上生长Ｂ掺杂的金刚石膜；３）退火自组织形成石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾长志，路超，李俊杰，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11