【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型化合物半导体薄膜材料生长
，主要内容为在同一 MOCVD 反应室(包括低温生长区101和高温退火区10 内交替进行氧化锌材料的低温生长和高温快速退火，改善氧化锌结晶质量。同时通过调节高温退火气氛种类和流量，降低SiO中背景电子浓度，为实现高结晶质量、稳定可靠的P型ZnO材料打下良好的基础。
技术介绍
ZnO是目前宽禁带半导体研究的热点材料之一，由于其直接带隙以及很大的激子束缚能(60meV)而受到广泛关注，有望在平板显示器件、紫外发光二极管和激光二极管等光电子领域获得应用。此外，生长ZnO所用的原料来源广泛，其薄膜外延生长温度也较低， 在工业生产中极具成本优势。为了充分发挥ZnO材料的优势，制作上述器件、实现相应的用途，必须克服两个主要障碍高质量ZnO外延薄膜的获得；P型ZnO材料的实现。ZnO外延薄膜的制备一般采用MOCVD和MBE方法。在实验室中广泛采用 MBE (molecular beam epitaxy)方法，MBE可以通过精确控制生长气氛中的II/VI比，以及掺杂剂和锌源、氧源的比例进行ZnO薄膜的生长与ρ型掺杂。但是MBE设...
【技术保护点】
１．一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤１：选用一衬底，并在ＭＯＣＶＤ设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤２：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入ＭＯＣＶＤ设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤３：关闭金属有机化合物和笑气，通过ＭＯＣＶＤ设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从ＭＯＣＶＤ设备反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤４：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤２、步骤３若干次；步骤５：待低温生长区温度降至室温后，...
【技术特征摘要】
1.一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤步骤1 选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2 用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3 关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从MOCVD设备反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4 通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5 待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。2.根据权利要求1所述的利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，其中步骤1所述的衬底的材料为蓝宝石或单晶硅。3.根据权利要求1所述的利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：时凯，刘祥林，魏鸿源，焦春美，王俊，李志伟，宋亚峰，杨少延，朱勤生，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
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