【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指一种通过控制生长温度、锌源流量和氧源载气流量的大小来生长水平排列氧化锌纳米线的方法。
技术介绍
氧化锌(S1O)材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表，能隙为3. 37eV,对应于紫外光波段，激子束缚能高达60meV，现已在太阳能电池、声表面波器件、液晶显示、压敏器件、高温、高压等方面显示出了广泛的应用前景，近年来已成为研究的热点。特别是纳米 &ι0，如纳米线、纳米棒、纳米柱、纳米带等，由于其具有量子尺寸效应、小尺寸效应等，表现出了与体材料不同的特殊性质，具有很多奇特的性能，在纳光电系统、激光器、场效应晶体管、低压和短波长光电子器件、透明导电材料、单电子晶体管等方面都具有潜在的应用前旦ο氧化锌纳米线是一种纳米尺度的线，即在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。ZnO纳米线的生长方法很多，主要有气相法、分子束外延法、水热法、 电化学法、溶胶-凝胶法、溶液法、金属有机物气相外延法等。较于其他方法，MOCVD法因为其可以实现大面积生长、易于控制、重复性好、易实现商业化等而更具实用性。近年来，研究者已经通过各...
【技术保护点】
１．一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤１：取一衬底放入ＭＯＣＶＤ设备中；步骤２：在ＭＯＣＶＤ设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤３：在ＭＯＣＶＤ设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤步骤1 取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2 在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3 在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。2.根据权利要求1所述的在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法， 其中所述的衬底为m面非极性蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法， 其中所述的锌源和氧源分别为二乙基锌和甲醇。4.根据权利要求1所述的在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法， 其中在MOCVD设备中通入锌源和氧源，锌源从衬底侧面流入，氧源从衬底上部流入。5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑玲，王俊，魏鸿源，焦春美，刘祥林，朱勤生，杨少延，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。