磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法技术

本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构，其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层，反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场；和模式选择开关，其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换，其中，当第一电流施加到交换偏置结构时，交换偏置结构工作在第一模式，当第二电流施加到交换偏置结构时，交换偏置结构工作在第二模式，且第一电流小于第二电流，使得第一模式具有比第二模式更大的线性工作范围，并且第二模式具有比第一模式更高的灵敏度。根据本公开的磁电阻敏感传感器及操作方法优化磁电阻敏感传感器的线性磁场范围和灵敏度等。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及磁电子学，具体地，具体地涉及一种磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法。

技术介绍

1、磁场是电力系统最基础的物理量之一。面向电网数字化转型和源网荷储全景信息感知，高灵敏、高可靠的磁电阻敏感传感器可实现磁场、电流等关键电气量的灵活、高精度测量，对电力系统运行状态的全面感知与实时监测、保障新型电力系统的安全稳定运行及发展至关重要。复杂多样的电力应用要求传感器具备“宽量程、高精度”的感知量测能力，这就需要磁电阻敏感传感器同时具有宽线性磁场动态范围和高灵敏度等关键性能参数。

2、因此，期望提供一种既能提供宽量程又能提供高灵敏度的磁电阻敏感传感器。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供了一种磁电阻敏感传感器，包括交换偏置结构，其包括反铁磁层和形成在所述反铁磁层上的铁磁层，所述反铁磁层通过交换偏置作用向所述铁磁层施加交换偏置磁场；以及模式选择开关，用于在施加给所述交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换，其中，当所述第一电流施加到所述交换偏置结构时，所述交换偏置结构工作在第一模式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁电阻敏感传感器，包括：

2.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，所述交换偏置结构为条状结构，所述第一电流和所述第二电流沿所述条状结构的长度方向施加。

3.如权利要求2所述的磁电阻敏感传感器，还包括：

4.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，所述交换偏置结构还包括形成在所述反铁磁层和所述铁磁层之间的缓冲层，且

5.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，当所述第一电流流过所述交换偏置结构时，所生成的焦耳热将所述交换偏置结构加热至第一温度，

6.一种操作磁电阻敏感传感器的方法，所述磁电阻敏感传感器包括交换偏置...

【技术特征摘要】

1.一种磁电阻敏感传感器，包括：

2.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，所述交换偏置结构为条状结构，所述第一电流和所述第二电流沿所述条状结构的长度方向施加。

3.如权利要求2所述的磁电阻敏感传感器，还包括：

4.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，所述交换偏置结构还包括形成在所述反铁磁层和所述铁磁层之间的缓冲层，且

5.如权利要求1所述的磁电阻敏感传感器，其中，当所述第一电流流过所述交换偏置结构时，所生成的焦耳热将所述交换偏置结构加热至第一温度，

6.一种操作磁电阻敏感传感器的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰家峰，韩秀峰，梁云，魏红祥，司文荣，黄辉，邓辉，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：