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本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构，其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层，反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场；和模式选择开关，其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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