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本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-1...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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