【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种N型双面太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件，具有较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标，n型太阳能电池具有光照无衰减，使用寿命长等优点，是高效晶硅太阳能电池一个重要的发展方向，并且由于n型太阳能电池的正负电极均可以制作成常规的H型栅线电极结构，因此该电池不仅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光从而产生额外的电力，实现双面发电。目前N型双面电池的制作工艺大多是采用热扩散的工艺实现发射极和基极的掺杂，制作工艺过程中需要使用掩膜技术实现单面的扩散掺杂，并且还需要边缘刻蚀去除扩散在硅片边缘的硼硅玻璃或磷硅玻璃，防止边缘漏电，因此工艺流程相对较为复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种N型双面太阳能电池的制备方法，该制备方法工艺流程相对较为简单，工艺合理、安全可靠，且成本低。本专利技术的另一目的是提供一种制备工艺简单、光电转化效率高的N型双面太阳能电池。本专利技术提供的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其技术方案是：一种N型双面太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；(2)、利用扩散炉对N型晶体硅基体的前表面进行单面硼扩散，在N型晶体硅基体的前表面形成带有硼硅玻璃的p+掺杂区域...
【技术保护点】
一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；(2)、利用扩散炉对N型晶体硅基体的前表面进行单面硼扩散，在N型晶体硅基体的前表面形成带有硼硅玻璃的p+掺杂区域；(3)、采用湿法刻蚀工艺去除扩散到N型晶体硅基体边缘和背表面的硼杂质；(4)、采用离子注入的方式将磷杂质注入到N型晶体硅基体的背表面，然后在退火炉中进行退火激活注入的磷杂质，形成n+掺杂区域；同时在N型晶体硅基体的前表面和背表面形成SiO2钝化层；(5)、在N型晶体硅基体的前表面制备钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面制备钝化膜；(6)、通过丝网印刷工艺和共烧结工艺在N型晶体硅基体的前表面实现与p+掺杂区域金属化接触的P+电极，在N型晶体硅基体的背表面实现与n+掺杂区域金属化接触的N+电极，完成N型双面太阳能电池的制作。
【技术特征摘要】
1.一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；
(2)、利用扩散炉对N型晶体硅基体的前表面进行单面硼扩散，在N型晶
体硅基体的前表面形成带有硼硅玻璃的p+掺杂区域；
(3)、采用湿法刻蚀工艺去除扩散到N型晶体硅基体边缘和背表面的硼杂
质；
(4)、采用离子注入的方式将磷杂质注入到N型晶体硅基体的背表面，然
后在退火炉中进行退火激活注入的磷杂质，形成n+掺杂区域；同时在N型晶体
硅基体的前表面和背表面形成SiO2钝化层；
(5)、在N型晶体硅基体的前表面制备钝化减反膜，在N型晶体硅基体的
背表面制备钝化膜；
(6)、通过丝网印刷工艺和共烧结工艺在N型晶体硅基体的前表面实现与
p+掺杂区域金属化接触的P+电极，在N型晶体硅基体的背表面实现与n+掺杂
区域金属化接触的N+电极，完成N型双面太阳能电池的制作。
2.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征
在于：所述N型晶体硅基体为N型单晶硅基体，所述N型单晶硅基体的电阻
率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300μm。
3.根据权利要求2所述的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征
在于：步骤(1)中制绒处理的具体方式为将该N型单晶硅基体置于碱性水溶
液中进行表面腐蚀以形成金字塔小绒面，然后将N型单晶硅基体用质量浓度为
5～10％的盐酸浸泡1～3分钟，再用去离子水将硅基体漂洗干净。
4.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征
在于：步骤(2)中对N型晶体硅基体的前表面采用液态的BBr3硼源进行单面
硼扩散，扩散的峰值温度范围为800～1200℃，扩散时间为60～200min，环境气
源为N2和O2；通过将两片N型晶体硅基体以背靠背的方式插入石英舟的插槽
\t里，然后进入扩散炉，实现单面硼扩散。
5.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征
在于：步骤(3)中所述湿法刻蚀工艺的刻蚀深度为1～5um。
6.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的制备方法，其特征
在于：步骤(4)中所用...
【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，刘志锋，孙玉海，张育政，
申请(专利权)人：苏州中来光伏新材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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