【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种IC级硅片边缘加工方法。
技术介绍
目前，将经滚圆加工的IC级硅单晶棒切割成硅片，由于硅片边缘表面比较粗糙，存在棱角、毛毛刺、崩边等缺陷，甚至还会出现裂缝以及其他缺陷，导致硅片边缘机械强度降低，还有颗粒沾污，因此就需要将硅片边缘倒角以消除所述缺陷。现有IC级硅片边缘加工通常为对称倒角，但是当将IC级硅片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成非对称倒角，如果继续采用对称倒角的方法倒角，由于其应力大，容易导致崩边、暗纹碎片。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供能在扩散层去除后，防止加工时出现崩边和暗纹碎片的一种IC级硅片边缘加工方法。本专利技术采取的技术方案是一种IC级硅片边缘加工方法，其特征在于先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的娃片边缘倒角相应于位于娃片一半厚度处且平行于娃片表面的平面非对称。所述的IC级硅片边缘加工方法，其必要的加工参数及数...
【技术保护点】
一种IC级硅片边缘加工方法，其特征在于先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吾勇军，陈锋，方强，
申请(专利权)人：万向硅峰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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