金属绝缘体金属电容器及制造方法技术

MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明专利技术还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS)是一种用于构造数字集成电路(IC)(诸如，微处理器、微控制器及其他)或模拟电路(诸如，图像传感器、数据转换器以及用于许多种通信工具的收发器)的技术。IC可以包括通过金属层连接在一起的数字逻辑部分(诸如，晶体管)以及其他部件(诸如，电阻器和电容器)。在半导体器件中使用了许多种电容器，诸如，金属氧化物半导体(MOS)电容器、PN·结电容器、多晶硅绝缘体多晶硅(PIP)电容器以及金属绝缘体金属(MM)电容器。尤其MM电容器在广泛的应用范围中提供了减小了的电极电阻。半导体芯片可以包括多个通过多个金属层互连的接触件，这些金属层被形成了金属间介电(MD)层的绝缘材料层分隔开。在不同金属层之间通过穿过绝缘层的通孔形成互连。通孔使其他金属层的互连件之间能够通信或能够直接与衬底中的半导体器件通信。传统芯片可以包括三层或更多的金属层，再加上最后的钝化层。该最后的钝化层可以被用于在探测和封装过程中防止CMOS受到机械磨损并且可以用于阻挡污染物。在最后的钝化层之后，将打开用于输入/输出的连接焊盘，然后进行标本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在集成电路(IC)内形成金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法，包括：在具有第一厚度的金属间介电(IMD)层中形成至少一个下部金属部件；在具有第二厚度的厚IMD层中形成至少一个上部金属部件，所述第二厚度大于所述第一厚度；在所述厚IMD层中形成沟槽；沿着所述沟槽的壁沉积底部电极材料，从而形成底部电极；邻近所述底部电极材料的位置上形成介电层；以及在邻近所述介电层的位置上形成顶部电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾国权，陈昆仑，王铨中，涂国基，李祥帆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：