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MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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