多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器技术

一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。多晶硅电阻器结构制造方法包括：在硅片中形成隔离区；在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁及第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成隔离物及第二多晶硅层，其中所述隔离物与第二多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端；在第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述隔离物与第三多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端，且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入；利用金属布线连接处于第一多晶硅层两端暴露端和第二多晶硅层两端暴露端；第一多晶硅层所形成的电阻与第二多晶硅层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。
技术介绍
在半导体芯片电路设计中，会大量的使用多晶硅电阻。一般电路设计人员多采用传统的N型或P型多晶电阻，但这些电阻在制造过程中都需要硅化物阻挡层(salicide block layer, SAB)作为一个额外的掩膜以用于保护娃片表面,在其保护下,娃片不与其它 Ti,Co之类的金属形成不期望的金属硅化物，即需要增加一道光刻步骤。具体地说，现有技术中的作为多晶硅电阻器的N型掺杂的多晶硅或者P型掺杂的多晶硅是通过在逻辑多晶硅 (本身是无掺杂的)上，进行N型离子注入(通常是高浓度的硼(B)离子注入)或P型离子注入(通常是高浓度的磷(P)离子注入)而形成，它们都需要硅化物阻止层作为光罩。然而，硅化物阻止层的引入增大了工艺的复杂性，并且增大了制造成本。在现有技术的改进方案中提出的存储多晶硅电阻不需要硅化物阻挡层，降低了制造成本。但是，该多晶硅电阻是η型电阻，温度系数较大；加之该多晶硅为掺杂浓度较高，因此电阻值较小，不利于降低电路面积。中国专利申请CN 102214560Α提出了一种利用存储多晶硅MP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁以及第一多晶硅层；第三步骤，用于在第一多晶硅层上形成隔离物；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层及其与第一多晶硅层之间的隔离物不完全覆盖第一多晶硅层的两端；第五步骤，用于在所述第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述第三多晶硅层及其与第二多晶硅层之间的隔离物不完全覆盖第一多晶硅层的两端，并且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；第六步骤，用于以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入，金属硅化物形成过程，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江红，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：