一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法技术

本发明专利技术公开了一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法，其属于集成电路制造技术，具体包括：用光刻胶打开前工艺层次的对准标记并用该光刻胶挡住其他区域；进行蚀刻工艺并留下铜；淀积MIM电容层，将留下的铜作为光刻对准标记；上述技术方案的有益效果是：提高了芯片空间的利用率，节省了芯片资源；采用低等级的掩膜版，降低了掩膜版的成本；减少了增加氮化硅这道工艺，降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造技术，尤其涉及一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断缩微，目前主流的集成电路制造已经进入了 65nm甚至更小的阶段。随着线宽的减小和成本的增加，芯片上的空间也变得寸土寸金。怎样减少芯片切割道所占用的芯片空间以增加半导体器件的摆放空间以及降低成本已成为了业界研究的主要课题之一。目前业界在铜制程MIM (Metal Injection Molding,金属注射成形)电容工艺中都会有三个工艺层次对准标记层(alignment mark layer);上基板层和下基板层。如图I所示，其中对准标记层是在芯片切割道上做出用于上基板层和下基板层光刻对准的标记(alignment mark)。上基板层和下基板层的作用是做出整个MIM电容器件。由于对准标记层需要做出新的对准标记供上基板层和下基板层使用，所以也占用了相应的切割道空间。如果不使用对准标记层就会造成如图2所示，由于MIM电容层中有一层铝(AL)导致不透光并且没有高度差，从而导致上基板层和下基板层没有光刻对准用的对准标记。目前业界的做法是O如图3所示，在氮化硅层上用光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法，所述铜制程MIM电容工艺包括三个工艺层次：对准标记层、上基板层和下基板层；所述上基板层和所述下基板层用于做出整个MIM电容器件，所述对准标记层用于做出供所述上基板层和所述下基板层使用的对准标记；所述对准标记层上还包括金属介电层；其特征在于，具体步骤包括：步骤a，开始MIM电容工艺，将所述MIM电容工艺分为三个工艺层次：对准标记层、上基板层和下基板层，所述对准标记层上还包括一个金属介电层作为所述对准标记层的前工艺层次；步骤b，用光刻胶打开所述对准标记层的前工艺层次的对准标记，所述光刻胶挡住所述前工艺层次上除所述对准标记的其他区域；步骤c，进行蚀刻工...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑海昌，朱骏，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：