半导体制程机台及其半导体制程制造技术

一种半导体制程机台，包括制程腔体、第一门板、冷却腔体及第二门板。制程腔体具有第一出入口。冷却腔体与制程腔体相邻，冷却腔体具有第二出入口。第一门板配置于制程腔体与冷却腔体之间，适于开启或关闭第一出入口，当第一出入口为开启状态时，制程腔体与冷却腔体相连通。第二门板用以开启或关闭第二出入口。本发明专利技术另提出一种使用上述机台的半导体制程。与现有在加热制程后仍将半导体基材留置于制程腔体内进行降温的做法相较之下，使用本发明专利技术的半导体制程机台可有效提升半导体基材在加热制程后的降温速度，进而提升整体制程效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体制程机台，包括制程腔体、第一门板、冷却腔体及第二门板。制程腔体具有第一出入口。冷却腔体与制程腔体相邻，冷却腔体具有第二出入口。第一门板配置于制程腔体与冷却腔体之间，适于开启或关闭第一出入口，当第一出入口为开启状态时，制程腔体与冷却腔体相连通。第二门板用以开启或关闭第二出入口。本专利技术另提出一种使用上述机台的半导体制程。与现有在加热制程后仍将半导体基材留置于制程腔体内进行降温的做法相较之下，使用本专利技术的半导体制程机台可有效提升半导体基材在加热制程后的降温速度，进而提升整体制程效率。【专利说明】半导体制程机台及其半导体制程
本专利技术是有关于一种半导体制程机台及其半导体制程，尤其是有关于一种可大幅缩短加热制程后的降温时程的半导体制程机台及其半导体制程。
技术介绍
在使用现有的半导体制程机台所进行的加热制程中，半导体装置是在同一腔体中完成加热和冷却制程，然后再退出至腔体外。虽然此种半导体制程机台结构较为简单，但在冷却半导体装置的过程中却需耗费相当多的时间，因而难以提升半导体装置的产能。 举例来说，当使用现有的半导体制程机台将半导体装置加热至700°C后，接着会继续将半导体装置置于制程腔体内，待其降温至350°C再开启制程腔体使制程腔体与外界环境相连通，以便于制程腔体内的温度降至室温。此时，才令半导体装置退出至制程腔体外，使得相关人员可在安全的情况下将完成加热及快速冷却制程的半导体装置移动至他处，以进行后续制程。 然而，前述由700°C降至350°C的过程需耗费约5到10分钟的时间。因此，如何缩短半导体装置在加热制程后所需花费的冷却时间，实为本领域相关人员所关注的议题之 O
技术实现思路
本专利技术所提供的半导体制程机台及其半导体制程可使半导体装置在加热制程后快速降温。 一种半导体制程机台，包括制程腔体、第一门板、冷却腔体以及第二门板，所述制程腔体具有第一出入口，所述冷却腔体与所述制程腔体相邻，所述冷却腔体具有第二出入口。所述第一门板配置于所述制程腔体与所述冷却腔体之间，适于开启或关闭所述第一出入口，当所述第一出入口为开启状态时，所述制程腔体与所述冷却腔体相连通。所述第二门板用以开启或关闭所述第二出入口。 根据本专利技术的一个实施例，所述冷却腔体还包括至少一气孔，所述至少一气孔用以供散热气体进入所述冷却腔体。 根据本专利技术的一个实施例，所述至少一气孔包括多个气孔，所述多个气孔呈环状排列。 根据本专利技术的一个实施例,所述散热气体为惰性气体。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体制程机台还包括载盘，在所述第一出入口为开启状态时，所述载盘通过所述第一出入口在所述制程腔体与所述冷却腔体之间移动。 根据本专利技术的一个实施例，所述载盘与所述第一门板相连，当所述载盘完全位于所述制程腔体内时，所述第一门板关闭所述第一出入口。 一种半导体制程，包含以下步骤:(a)提供制程腔体，其中所述制程腔体具有第一出入口 ；(b)将半导体基材通过所述第一出入口而置于所述制程腔体内；(c)关闭所述第一出入口，以在所述制程腔体内对所述半导体基材进行加热制程；(d)在完成所述加热制程后，开启所述第一出入口，以将所述半导体基材自所述制程腔体经由所述第一出入口移至冷却腔体内，所述冷却腔体具有第二出入口，且所述第二出入口处于关闭状态；以及(e)开启所述第二出入口。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体制程，在将所述半导体基材移至所述冷却腔体内之后，还包括提供散热气体至所述冷却腔体内。 根据本专利技术的一个实施例,所述散热气体为惰性气体。 根据本专利技术的一个实施例，将所述半导体基材置于所述制程腔体内的方法包括提供载盘，并将所述半导体基材放置在所述载盘上，再将所述载盘经由所述第一出入口推入至所述制程腔体内。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一出入口是通过所述第一门板来开启或关闭，且所述载盘与所述第一门板相连，当所述载盘完全位于所述制程腔体内时，所述第一门板关闭所述第一出入口。 本专利技术的半导体制程机台及其半导体制程是在半导体基材完成加热制程后，将半导体基材从制程腔体内退出，并置于与制程腔体相连的冷却腔体内进行冷却。待半导体基材冷却至适当温度后，再开启冷却腔体，便于相关人员将半导体基材移至他处以进行后续制程。由此可知，与现有在加热制程后仍将半导体基材留置于制程腔体内进行降温的做法相较之下，使用本专利技术的半导体制程机台可有效提升半导体基材在加热制程后的降温速度，进而提升整体制程效率。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1A是本专利技术第一实施例在第二出入口关闭时半导体制程机台的部分立体示意图。 图1B是本专利技术第一实施例在第二出入口开启时半导体制程机台的部分立体示意图。 图1C是本专利技术第一实施例的半导体机台的载盘及半导体基材的立体示意图。 图2是本专利技术第一实施例的半导体制程的步骤流程图。 【具体实施方式】 图1A是本专利技术第一实施例在第二出入口关闭时半导体制程机台的部分立体示意图，图1B绘是本专利技术第一实施例在第二出入口开启时半导体制程机台的部分立体示意图。请同时参照图1A及图1B，第一实施例的半导体制程机台100包括制程腔体110、第一门板120、冷却腔体130以及第二门板140。制程腔体110具有第一出入口 112。冷却腔体130与制程腔体110相邻，且冷却腔体130具有第二出入口 132。而第一门板120配置于制程腔体110与冷却腔体130之间，并用以开启或关闭第一出入口 112，其中当第一出入口 112为开启状态时，制程腔体110与冷却腔体130相连通。第二门板140用以开启或关闭第二出入口 132。 此外，本实施例的冷却腔体130还可以包括至少一个气孔134。进一步来说，本实施例的冷却腔体130例如是包括多个气孔134，而散热气体(图未示出)即可经过这些气孔134进入冷却腔体130内，以提升位于冷却腔体130内的物体的冷却速率。值得一提的是，本实施例的这些气孔134数量例如是四，并呈环状排列，但本专利技术不限于此，本领域技术人员可自行变化气孔134的排列方式、位置及数量，以达最佳的冷却效率。 图1C是本专利技术第一实施例的半导体机台的载盘及半导体基材的立体示意图。请同时参考图1B及1C，本实施例的半导体制程机台100还包括有载盘150。载盘150用于承载欲使用半导体制程机台100进行加热及回温制程的半导体基材152。在本实施例中，载盘150与第一门板120相连。具体来说，当载盘150部分或完全位于冷却腔体130内时，第一门板120未遮蔽第一出入口 112。也就是说，此时的第一出入口 112处于开启状态，而制程腔体110与冷却腔体130相连通。在将半导体基材152放置于载盘150上之后，接着即可将载盘150推入至制程腔体110内，以使载盘150完全置于制程腔体110内。此时，第一门板120会遮蔽住第一出入口 112，使得第一出入口 112处于关闭状态，以利于半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制程机台，其特征在于：包括一制程腔体，具有一第一出入口；一冷却腔体，与所述制程腔体相邻，所述冷却腔体具有一第二出入口；一第一门板，配置于所述制程腔体与所述冷却腔体之间，适于开启或关闭所述第一出入口，当所述第一出入口为开启状态时，所述制程腔体与所述冷却腔体相连通；以及一第二门板，用以开启或关闭所述第二出入口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林武郎，郑煌玉，王陈右，陈世敏，范釗傑，高诚志，刘又瑋，
申请(专利权)人：技鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71