半导体制程方法技术

本发明专利技术提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；形成一凹凸结构于该成长基板上；形成一半导体组件层于该凹凸结构上；以及改变该成长基板与该半导体组件层的温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系相关于ー种，尤指关于剥离半导体基板的。
技术介绍
在传统的发光二极管制程(Light-Emitting Diode ;LED)中，为了在成长基板上生长出较高质量的氮化物半导体(例如形成镓基(GaN-based)外延薄膜)，一般会选择晶体结构与氮化镓的晶体结构类似的蓝宝石(A1-203)基板作为成长基板，但蓝宝石基板在导电性质与导热性质上是比较差的，因此氮化镓发光二极管在高电流、高功率、长时间操作下，存在着散热不佳、影响晶粒发光效率与发光面积、可靠度不良等问题，因而对氮化镓发光二极管之制造与发光效率的提升造成阻碍与限制。 为了改善上述缺失，传统作法是去除蓝宝石基板，习知的技术是以晶圆接合技术将氮化物半导体组件从蓝宝石成长基板转移至接合基板，藉以使LED的组件特性提升，也就是将氮化镓组件外延层自蓝宝石基板剥离，转移至具有高导电率、高导热率的基板。在上述制程中，大部分以雷射剥离(Laser Lift Off)技术来去除蓝宝石成长基板，然而雷射剥离法会使LED的组件特性劣化，影响LED组件的良率，而且雷射剥离成本较高。因此，如果能在晶圆接合过程中将氮化物半导体组件从成长基板剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体之制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；形成一凹凸结构于该成长基板上；形成一半导体组件层于该凹凸结构上；以及改变该成长基板与该半导体组件层的温度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴耀铨，陈俞中，
申请(专利权)人：财团法人交大思源基金会，
类型：发明
国别省市：