一种半导体制程中的干法清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体制程中的干法清洗方法，包括如下步骤，ａ）传统干法清洗步骤；ｂ）吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。本发明专利技术中所用的惰性气体为氩气或氦气；吹扫步骤中腔室的压力为６０～１５０ｍＴ，优选为６０～１３０ｍＴ；通入的气体流量为１２０～２５０ｓｃｃｍ，通入时间为３～１０ｓ。本发明专利技术的方法能够有效的减少传统干法清洗中残留的颗粒，为后面的工艺步骤提供一个洁净的环境，从而保证产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体制程中的干法清洗方法，其包括如下步骤：　ａ）传统干法清洗步骤；和　ｂ）吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周洋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]