【技术实现步骤摘要】
本案是有关半导体研磨、切割的制程,尤其是有关半导体研磨、切割以及后续的半导体附贴于载具、半导体堆叠等封装的制程,更尤其是有关晶圆研磨、切割以及所得晶粒附贴于载具、所得晶粒堆叠等封装的制程。
技术介绍
元件的轻薄短小化,乃集成电路半导体相关业界的趋势,例如美国专利5,793,108所揭露的,要在已知的封装架构下堆叠多晶片,须将晶片磨薄至2-4mils。已知将晶片磨薄的制程,如美国专利6527627、6159071等所揭露的,其典型的步骤示于图1a-1f。图1a中,在晶圆1的正面2(具有焊垫6的表面)粘贴胶带3,以便对晶圆1的背面4,用研磨工具30进行研磨(如图1b所示),研磨后得薄晶圆11(如图1c所示),将晶圆切割要用的框架5粘贴于薄晶圆11的背面14(如图1d所示),再将薄晶圆11的正面2所粘的胶带3移除(如图1e所示),以便用切割工具40执行晶圆切割(如图1f所示)。采用上述制程,研磨后的薄晶圆11因应力残留而常发生翘曲(如图2所示),易导致后续作业的困难,以及易造成晶圆破裂。另薄化后的晶圆11在切割成晶片或晶粒21后(如图3所示),因太薄,所以在晶片21移装于基板7(如图4所示)的制程(Die Bond),容易在拾取(pick up)的作业(如图3所示以拾取头[pick-up head]50拾取晶片21)中发生晶片21的破裂8,甚至在将晶片21放置于基板7时(如图4所示)也会发生晶片的破裂8。为解决晶圆薄化易造成品质不良的问题,美国专利6264535揭露一种技术(如图5a-5e所示),其先由晶圆1的正面2将晶圆1仅切割(用切割工具40)到有凹陷 ...
【技术保护点】
一种半导体处理制程,应用于一半导体,该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面,该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度,其特征在于,该半导体处理制程包含:将一种透光物质贴于该半导体电连接面;从 该半导体非电连接面研磨该半导体,得到一新半导体非电连接面,该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度;以及经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一第一晶粒,该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面, 该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒电连接面附有该透光物质。
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理制程,应用于一半导体,该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面,该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度,其特征在于,该半导体处理制程包含将一种透光物质贴于该半导体电连接面;从该半导体非电连接面研磨该半导体,得到一新半导体非电连接面,该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度;以及经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一第一晶粒,该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面,该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份,该第一晶粒的晶粒电连接面附有该透光物质。2.根据权利要求1所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含研磨该半导体之前,将该半导体连同该透光物质置于一研磨支持台,该非电连接面暴露;以及执行该切割作业之前,将该半导体连同该透光物质置于一切割支持台,该非电连接面朝向该切割支持台,该透光物质暴露。3.根据权利要求1所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该透光物质的贴于该半导体电连接面,是使用一种粘接物质于该透光物质与该半导体电连接面之间,该粘接物质具备一特性因应一种光线而丧失其与该半导体电连接面之间的粘性。4.根据权利要求3所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含借助该透光物质的透光,让该种光线到达该粘接物质,使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失;以及将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。5.根据权利要求3所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含将该第一晶粒连同该透光物质移置于一载具,该第一晶粒的晶粒非电连接面粘贴该载具;借助该透光物质的透光,让该种光线到达该粘接物质,使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失;以及将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。6.根据权利要求3所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该粘接物质包含一第一粘胶层、一第二粘胶层、以及一薄膜层,该第一粘胶层接触该透光物质,该第二粘胶层接触该半导体电连接面,该薄膜层介于该第一粘胶层与该第二粘胶层之间,该薄膜层与该第一粘胶层具备一特性让该种光线穿透,该第二粘胶层具备一特性因应该种光线而丧失粘性。7.根据权利要求3所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该种光线是紫外线。8.根据权利要求1所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该透光物质包含玻璃、塑胶等两者中的至少一种。9.根据权利要求1所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该切割作业包含经过该透光物质识得该半导体电连接面的切割线;以及根据该切割线对该透光物质与该半导体进行切割。10.根据权利要求5所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含借由该切割作业而得到至少一第二晶粒,该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面,该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份,该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份,该第二晶粒的晶粒电连接面也附有该透光物质;将该第二晶粒的晶粒非电连接面粘贴该第一晶粒的晶粒电连接面形成两晶粒的堆叠;借助该透光物质的透光,让该种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质,使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失;以及将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。11.根据权利要求5所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含该第一晶粒粘贴该载具之前,于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种,涂布一种粘著剂。12.根据权利要求11所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。13.根据权利要求10所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含该第二晶粒粘贴该第一晶粒之前,于该第二晶粒的晶粒非电连接与该第一晶粒的晶粒电连接面等两者中的至少一种,涂布一种粘著剂。14.根据权利要求13所述的半导体处理制程,其特征在于,其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。15.根据权利要求3所述的半导体处理制程,其特征在于,其中还包含提供一载具;于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种,涂布一种B-stage胶;将该第一晶粒置于该...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡汉龙,刘儒生,萧承旭,
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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