一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法技术

本发明专利技术提供了一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，运用比例、微分、积分控制器及热偶计回馈的压电信号与设定的目标温度（Ｔ．Ｃ＿Ｅ）误差，进行闭回路控制，形成温控点（Ｔ．Ｃ＿Ｃ）。为维持均匀的晶圆制程温度，将温度场分割为多区控制系统，将每一区域的电热调整器所需的输入电流信号予以参数化（Ｋ？Ｖａｌｕｅ），以达到各区域温度可独立控制的目的。另外设立安全监控点，以及总输出功率曲线做为分析目标，限制各区域温度的上、下限与输出功率值，避免因温控点或独立控制区域输出功率不足或超载，而降低晶圆反应的良率或导致系统毁损。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度控制方法，尤其涉及，使用闭回路控制温控点，并将温度场加以分区、独立控制，可即时调变各 区域电热调整器输出电流，以期符合目标制程温度。
技术介绍
中国台湾省公开编号第200741882号，申请案号第96108458号(用以快速热处理 基材的适度控制法)，其为一种在一时距(time interval)期间控制位于一处理室中的一 基材的温度的方法，其中所述基材包括至少一区域，所述方法至少包含 在时距前，测量所述基材的各区域的温度； 依据各区域在至少一先前时距时的一热行为来计算各区域于所述时距时的一即 时加热速率； 依据所述即时加热速率来决定各区域的一输入功率，使各区域于所述时距终了时 达到一预定温度； 以及施加各区域的所述输入功率至各对应的区域。 参阅图l所示，现有技术的适度控制法流程图，其步骤为一、测量高温区温度 121 ;二、决定即时加热速率122 ;三、计算升温速率123 ;四、计算高温区功率124 ;五、计算 照灯群组功率125 ;六、加热基材126。 上述前案，其是依据基材在热处理期间的光学特性，选用即时适度控制演算法或 各种基材类型的固定控制演算法，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，其特征在于，其包含至少一电热调整器、一温度控制器、一温度感测器、至少两加热源及一闭回路控制系统彼此电连接；所述闭回路控制系统进行比例、微分、积分闭回路控制及温控点控制，并回馈温度信号至一微电脑介面进行运算／分析及储存相关制程参数，进而监控并即时增／减各独立区域的所述加热源输出功率，以确保制程维持目标温度，其制程情形即时以图控方式显示于面板，所述制程情形包括目标温度、实际制程温度、电热设备控制输出功率、制程气体流量、温度控制信号转换值及其它比对用温度感测器的读值。

【技术特征摘要】
一种应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，其特征在于，其包含至少一电热调整器、一温度控制器、一温度感测器、至少两加热源及一闭回路控制系统彼此电连接；所述闭回路控制系统进行比例、微分、积分闭回路控制及温控点控制，并回馈温度信号至一微电脑介面进行运算/分析及储存相关制程参数，进而监控并即时增/减各独立区域的所述加热源输出功率，以确保制程维持目标温度，其制程情形即时以图控方式显示于面板，所述制程情形包括目标温度、实际制程温度、电热设备控制输出功率、制程气体流量、温度控制信号转换值及其它比对用温度感测器的读值。2. 如权利要求1所述的应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，其特征在 于，所述闭回路控制系统监控方式，通过至少一热偶计或一高温计，将回馈信号与目标温度 差值进行即时运算及补偿，形成所述闭回路控制系统的主要温控点，并依制程需求将温度 场分割为至少两个独立控制区域。3. 如权利要求2所述的应用于光电半导体快速升降温制程的温度控制方法，其特征在 于，所述至少两个独立区域分别设有至少两个电热调整器及至少两个加热卤素灯源，所述 电热调整器所需的控制输入电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：林武郎，吕学礼，周明源，洪水斌，郑煌玉，石玉光，
申请(专利权)人：技鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]