用于半导体制程的辅助加热罩制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于半导体制程的辅助加热罩。辅助加热罩用以罩于一玻璃基板上。玻璃基板具有一顶面、一底面及位于顶、底两面的周缘之间的一环立面，玻璃基板的顶面镀有反应材料。辅助加热罩包括一罩体及一环墙。该罩体具有一支撑墙及一盖板。支撑墙的顶部连接盖板，且环绕于盖板的周缘。支撑墙的底部抵靠于玻璃基板的顶面，且环绕玻璃基板的周围。盖板间隔面对玻璃基板的顶面。环墙形成于罩体的外周缘，且有一连接部及延伸自连接部的一凸伸部。凸伸部正对玻璃基板的环立面。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是与辅助加热罩有关，辅助加热罩用以罩于基板上，特别是指一种用于半导体制程的辅助加热罩。
技术介绍
随着太阳能产业的发展,相较于铺化镉薄膜材料硒化铜铟镓(Copper IndiumGallium Diselenide1CIGS)薄膜材料具有较佳的能源转换效率，所以受到重视。CIGS薄膜太阳能电池的制程中，通常前制程中已经率先将铜铟镓硒材料镀在基板上，基板材料通常是玻璃材质，接着，将镀有铜铟镓硒的基板放入反应炉中加热，以在基板上形成CIGS薄膜。类似的制程例如，中国台湾公开第201227984号申请案，其揭露一种用于在玻璃上形成半导体薄膜的反应容器，反应容器包括一上盖及与一底座，契合的上盖与底座之间形成一置物空间，用以容置镀有铜铟镓硒的玻璃基板，特别地，上盖与底座契合部分是榫卯结构，榫卯结构用以供硒蒸气逸散，这表示置物空间内的硒蒸气会藉由榫卯结构逸散到反应容器夕卜，这样可能会让置物空间内的硒蒸气浓度不足，进而造成最终玻璃基板上的CIGS薄膜的硒含量不足，导致良率不佳的严重缺点。
技术实现思路
本技术提供一种用于半导体制程的辅助加热罩。辅助加热罩罩于一玻璃基板上。玻璃基板具有一顶面、一底面及位于顶、底两面的周缘之间的一环立面，玻璃基板的顶面镀有反应材料。辅助加热罩包括一罩体及一环墙。该罩体具有一支撑墙及一盖板。支撑墙的顶部连接盖板，且环绕于盖板的周缘，使得该支撑墙及该盖板之间形成一腔体。支撑墙的底部抵靠于玻璃基板的顶面，且环绕玻璃基板的周围。盖板是间隔面对玻璃基板的顶面。环墙形成于罩体的外周缘，且有一连接部及一凸伸部。连接部延伸自支撑墙及盖板。凸伸部延伸自连接部，且低于支撑墙的底部。其中，环墙的凸伸部正对玻璃基板的环立面。如此，当本技术的辅助加热罩罩于镀有反应材料的玻璃基板上，且被放入加热反应炉中加热，这样，均温的腔体中的玻璃基板顶面就会形成由反应材料组成的半导体薄膜。再者，本技术的辅助加热罩是直接罩在玻璃基板上，且支撑墙抵靠在玻璃基板的周围，所以，相较于先前技术，反应材料(例如硒)蒸气较不会外散，且更适合量产。附图说明图1为本技术较佳实施例的辅助加热罩的立体图。图2为玻璃基板上的示意图。图3及图4分别为辅助加热罩罩于玻璃基板上的剖视示意图。具体实施方式为了详细说明本技术的技术特点所在，兹举以下一较佳实施例并配合图式说明如后，其中:如图1所示，图1为本技术一较佳实施例的辅助加热罩的立体图。辅助加热罩10包括一罩体11及一环墙13。罩体11具有一支撑墙111及一盖板113。支撑墙111的顶部连接盖板113，且环绕于盖板113的周缘，使得支撑墙111及盖板113之间形成一腔体15 (请先参照图3及图4)。辅助加热罩10较佳地选用石墨或石英材料。环墙13形成于罩体11的外周缘，且具有一连接部131及一凸伸部133。连接部131延伸自支撑墙111及盖板113。凸伸部133延伸自连接部131，且低于支撑墙111的底部112。实际上，辅助加热罩10是一体成形的结构，表示，罩体11及环墙13 —体的结构。如图2所示，图2为玻璃基板上的立体图。玻璃基板20具有一顶面21、一底面23及位在顶、底两面21、23的周缘之间的一环立面25。如图3所示，图3为辅助加热罩罩于玻璃基板上的剖视示意图。由于，辅助加热罩10罩于玻璃基板20上的立体图标无法显示本技术的特征，即图1中的辅助加热罩10被翻转180度，且罩在玻璃基板20上，所以，省略组合状态的立体图，仅以组合后的剖视图为例。需要注意的是，玻璃基板20的尺寸略小于环墙13所形成的空间，以使辅助加热罩10可完整地罩住玻璃基板20。此外，玻璃基板20的顶面21有半导体的反应材料，半导体的反应材料说明请容后再述。当辅助加热罩10罩于玻璃基板20时，支撑墙111的底部112抵靠于玻璃基板20的顶面21，且环绕玻璃基板20的周围，盖板113间隔面对玻璃基板20的顶面21，如此，腔体15就变成密闭的腔体。环墙13正对玻璃基板20的环立面25，以包围玻璃基板20的环立面25。其中，形成反应空间的目的请容后再述。一般硒化铜铟镓(Copper Indium Gallium Diselenide, CIGS)薄膜太阳能电池的制程中通常需经过硒化(Selenization)等制程，以使玻璃基板20上形成铜铟镓硒薄膜。通常在硒化制程之前，玻璃基板20上已经镀有铜铟镓硒，即前述的反应材料，而在执行硒化制程时，本技术的辅助加热罩10罩于镀有铜铟镓硒材料的玻璃基板20上，且放入加热反应炉中，这样，玻璃基板20与辅助加热罩10之间密闭的腔体15就可提供均温的环境，来对玻璃基板20的顶面的反应材料加热。如此，经过一段时间且待冷却后，玻璃基板20上就可形成铜铟镓硒薄膜。再者，由于支撑墙111直接抵靠在玻璃基板20上，且藉由该辅助加热罩10的重量自然压在玻璃基板20上，因此腔体15内的硒蒸气就不会外泄至辅助加热罩10外。实务上，辅助加热罩10也可以被应用于其它反应制程中，因此，不以此所述的硒化制程为限。需要注意的是，在图3中，辅助加热罩10及玻璃基板20属于未被加热的状态，所以，环墙13与玻璃基板20之间会有间隙，一旦加热后，由于材料热胀的自然现象，间隙会自然的缩小。辅助加热罩10的形状不以此所绘矩形为限，也可以是圆形或三角形等。环墙13的凸伸部133具有一内立面135、一外立面137及一底面139，内立面135及外立面137分别连接底面139的内、外两边，如此，当上述的硒化反应完成后，即可藉由其它支撑器具(未绘示于图中)抵顶凸伸部133的底面139后，由下往上将辅助加热罩10升起，而供取出玻璃基板20。请再参照图3，较佳地，罩体11的环墙13的底缘131与玻璃基板20的底面23齐平，这样，就能在加热炉中平稳的输送罩有辅助加热罩10的玻璃基板20。如图4所示，罩体11的环墙13的底缘131也可以高于玻璃基板20的底面23，这样，也可以达到上述平稳输送的目的。权利要求1.一种用于半导体制程的辅助加热罩，其特征在于，罩于一玻璃基板上，该玻璃基板具有一顶面、一底面及位在顶、底两面的周缘之间的一环立面，该玻璃基板的顶面有反应材料，该辅助加热罩包括: 一罩体，具有一支撑墙及一盖板，该支撑墙的顶部连接该盖板，且环绕于该盖板的周缘，使得该支撑墙及该盖板之间形成一腔体，其中，该支撑墙的底部抵靠于该玻璃基板的顶面，且环绕该玻璃基板的周围，该盖板面对该玻璃基板的顶面；及 一环墙，形成于该罩体的外周缘，且有一连接部及一凸伸部，该连接部延伸自该支撑墙及该盖板，该凸伸部延伸自该连接部，且低于该支撑墙的底部，其中，该环墙的凸伸部正对该玻璃基板的环立面。2.如权利要求1所述的用于半导体制程的辅助加热罩，其特征在于，该环墙的凸伸部具有一内立面、一外立面及一底面，该内立面及该外立面分别连接该底面的内、外两边。3.如权利要求2所述的用于半导体制程的辅助加热罩，其特征在于，该环墙的凸伸部的底面与该玻璃基板的底面齐平，或该环墙的凸伸部的底面高于该玻璃基板的底面。专利摘要本技术提供一种用于半导体制程的辅助加热罩。辅助加热罩用以罩于一玻璃基板上。玻璃基板具有一顶面、一底面及位于顶、底两面的周缘之间的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体制程的辅助加热罩，其特征在于，罩于一玻璃基板上，该玻璃基板具有一顶面、一底面及位在顶、底两面的周缘之间的一环立面，该玻璃基板的顶面有反应材料，该辅助加热罩包括：?一罩体，具有一支撑墙及一盖板，该支撑墙的顶部连接该盖板，且环绕于该盖板的周缘，使得该支撑墙及该盖板之间形成一腔体，其中，该支撑墙的底部抵靠于该玻璃基板的顶面，且环绕该玻璃基板的周围，该盖板面对该玻璃基板的顶面；及?一环墙，形成于该罩体的外周缘，且有一连接部及一凸伸部，该连接部延伸自该支撑墙及该盖板，该凸伸部延伸自该连接部，且低于该支撑墙的底部，其中，该环墙的凸伸部正对该玻璃基板的环立面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾昭隆，邱文鼎，赵子铭，陈君健，汪宇炎，何文福，黎胜，廖科峰，
申请(专利权)人：生阳新材料科技宁波有限公司，
类型：实用新型
国别省市：