半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置的制造方法，包含提供一晶圆；提供一薄膜，其中该薄膜上形成有多个凸起结构；利用该多个凸起结构和该晶圆的一表面之间的凡得瓦力将该薄膜贴附于该晶圆的该表面上；以及对该晶圆进行一半导体制程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造方法，尤指一种可提高生产良率的半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体制造方法中，为了将晶圆薄化，会对晶圆进行晶背研磨制程。一般而言，现有的晶背研磨制程是先将胶带贴附于晶圆正面，之后再对晶圆背面进行研磨。当晶圆背面研磨完成后，晶圆正面上的胶带会被移除以进行后续的晶圆切割制程。然而，在先前技术中，晶圆正面上的胶带是利用黏着剂贴附于晶圆正面，当将胶带从晶圆正面上移除时常常会有黏着剂残留于晶圆正面上，进而影响晶圆正面上形成的集成电路的功能，降低了半导体制程的生产良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种可提高生产良率的半导体装置的制造方法，以解决先前技术的问题。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：半导体装置的制造方法，包含提供一晶圆；提供一薄膜，其中该薄膜上形成有多个凸起结构；利用该多个凸起结构和该晶圆的一表面之间的凡得瓦力将该薄膜贴附于该晶圆的该表面上；以及对该晶圆进行一半导体制程。在本专利技术一实施例中，该晶圆具有一正面及一背面，该晶圆的正面上形成有多个集成电路；该薄膜是利用该多个凸起结构和该晶圆的正面之间的凡得瓦力贴附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一晶圆；提供一薄膜，其中该薄膜上形成有多个凸起结构；利用该多个凸起结构和该晶圆的一表面之间的凡得瓦力将该薄膜贴附于该晶圆的该表面上；以及对该晶圆进行一半导体制程。

【技术特征摘要】
2015.05.26 TW 1041167481.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一晶圆；提供一薄膜，其中该薄膜上形成有多个凸起结构；利用该多个凸起结构和该晶圆的一表面之间的凡得瓦力将该薄膜贴附于该晶圆的该表面上；以及对该晶圆进行一半导体制程。2.如权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该晶圆具有一正面及一背面，该晶圆的正面上形成有多个集成电路；该薄膜是利用该多个凸起结构和该晶圆的正面之间的凡得瓦力贴附于该晶圆的正面上；该半导体制程包含研磨该晶圆的背面。3.如权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该晶圆具有一正面及一背面，该晶圆的正面上形成有多个集成电路；该薄膜是利用该多个凸起结构和该晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄佳哲，洪宗泰，
申请(专利权)人：台虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71