基板处理装置以及基板处理装置的配管清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。本发明专利技术的基板处理装置的特征在于，具备：第一清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第一清洗单元(52、54)；第二清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第二清洗单元(60、62)；第一纯水供给配管(120)，将纯水供给至第一清洗路径；及第二纯水供给配管(180)，将纯水供给至第二清洗路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。
技术介绍
近年来，随着半导体元件的高集成化，电路的配线变得细微化，配线间的距离也变得更窄。半导体元件的制造是在晶片等的基板上反复地将多种材料形成膜状，以形成层积结构。为了形成该层积结构，使基板正面平坦的技术变得重要。进行化学机械研磨(CMP)的基板处理装置已被广泛使用作为一种使这样的基板正面平坦化的手段。基板处理装置一般包含：安装有研磨垫的研磨平台；保持晶片的研磨头；以及将研磨液供给至研磨垫上的研磨液喷嘴。接着，将研磨液从研磨液喷嘴供给至研磨垫上，同时经由研磨头将晶片按压于研磨垫，进一步，分别使研磨头与研磨平台旋转，由此研磨晶片。经研磨的晶片上存在不需要的残渣。因此，基板处理装置包含：多个清洗单元，其为了将这种残渣从晶片去除而清洗晶片；及多个干燥单元，使经清洗的晶片干燥。图12是表示配置于以往的基板处理装置的清洗单元与干燥单元的配置的示意图。如图12所示，该基板处理装置设有两个清洗路径，即上段清洗路径与下段清洗路径。上段清洗路径按照上侧清洗单元152、上侧清洗单元154及上侧干燥单元156的顺序搬运晶片，下段清洗路径按照下侧清洗单元160、下侧清洗单元162及下侧干燥单元164的顺序搬运晶片。上段清洗路径及下段清洗路径并列地对两片晶片进行清洗及干燥。上侧清洗单元152、上侧清洗单元154、下侧清洗单元160及下侧清洗单元162，一边将药液供给至晶片的正面及反面，一边使由毛刷及海绵等构成的清洗部件摩擦晶片，由此清洗晶片，之后利用纯水冲洗晶片。上侧干燥单元156及下侧干燥单元164，在利用纯水冲洗晶片的正面后，将IPA蒸气(异丙醇与氮气的混合气体)供给至晶片的正面，以使晶片干燥。如此，为了进行晶片处理而将纯水供给至清洗单元152、154、160、162及干燥单元156、164。因此，如图12所示，清洗单元152、154、160、162及干燥单元156、164，分别与从工厂设备之一的工厂纯水线延伸的纯水供给配管300连接。纯水源阀301配置于该纯水供给配管300。这些清洗单元152、154、160、162及干燥单元156、164有可能产生细菌。产生的细菌及其尸体与纯水一同被搬运至晶片上，而成为污染晶片的原因。因此，在产生了细菌的情况下，将双氧水注入纯水供给配管300内，使该细菌灭绝，之后，使纯水流入纯水供给配管300，对纯水供给配管300的内部进行清洗(冲洗)。从一条纯水供给配管300将纯水分配至清洗单元152、154、160、162及干燥单元156、164。这种纯水供给系统中，若单元152、154、156、160、162、164中的任一单元产生细菌，则需将双氧水导入全部的纯水供给配管300。其结果，上段清洗路径及下段清洗路径两者均无法用于清洗晶片。完成使用双氧水的清洗还有需要花费数小时的情况，存在停止处理晶片的停机时间变长的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-50436号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题因此，本专利技术的目的在于提供一种基板处理装置，即使多个清洗单元中的任一单元产生了细菌，也能够继续进行基板的处理。另外，本专利技术的目的在于提供一种这样的基板处理装置的配管清洗方法。用于解决课题的手段用于解决上述课题的本专利技术的一个方式是一种基板处理装置，其特征在于，具备：第一清洗路径，该第一清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第一清洗单元；第二清洗路径，该第二清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第二清洗单元；第一纯水供给配管，该第一纯水供给配管将所述纯水供给至所述第一清洗路径；及第二纯水供给配管，该第二纯水供给配管将所述纯水供给至所述第二清洗路径。优选的方式是，其特征在于，还具备：第一导入口及第二导入口，该第一导入口及第二导入口用于分别将双氧水导入所述第一纯水供给配管及所述第二纯水供给配管。优选的方式是，其特征在于，所述第一清洗单元具备：将纯水供给至基板的第一纯水供给喷嘴；及将纯水与药液的混合液体供给至基板的第一药液供给喷嘴；所述第一纯水供给配管具有：与所述第一纯水供给喷嘴连接的第一纯水供给线；及与所述第一药液供给喷嘴连接的第一纯水混合线。优选的方式是，其特征在于，所述第一纯水混合线经由用于将所述纯水与所述药液进行混合的混合机而延伸至所述第一药液供给喷嘴。优选的方式是，其特征在于，所述第二清洗单元具备：将纯水供给至基板的第二纯水供给喷嘴；及将纯水与药液的混合液体供给至基板的第二药液供给喷嘴；所述第二纯水供给配管具有：与所述第二纯水供给喷嘴连接的第二纯水供给线；及与所述第二药液供给喷嘴连接的第二纯水混合线。优选的方式是，其特征在于，所述第二纯水混合线经由用于将该纯水与该药液进行混合的混合机而延伸至所述第二药液供给喷嘴。优选的方式是，其特征在于，所述第一清洗路径还包含：第一干燥单元，该第一干燥单元将所述纯水供给至所述基板，之后使所述基板干燥；所述第二清洗路径还包含：第二干燥单元，该第二干燥单元将所述纯水供给至所述基板，之后使所述基板干燥。本专利技术的另一方式是一种配管清洗方法，是包含下述单元的基板处理装置的配管清洗方法：第一清洗路径，该第一清洗路径具有将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第一清洗单元；第二清洗路径，该第二清洗路径具有将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第二清洗单元；第一纯水供给配管，该第一纯水供给配管将所述纯水供给至所述第一清洗路径；及第二纯水供给配管，该第二纯水供给配管将所述纯水供给至所述第二清洗路径。该配管清洗方法的特征在于：将双氧水供给至所述第一纯水供给配管内，由双氧水填满所述第一纯水供给配管；将由双氧水填满的所述第一纯水供给配管放置规定时间；之后，将纯水供给至所述第一纯水供给配管内，来清洗所述第一纯水供给配管；在将所述第一纯水供给配管放置该规定时间的期间，由所述第二清洗路径清洗基板。优选的方式是，其特征在于，清洗所述第一纯水供给配管时的所述纯水的流量大于清洗所述基板时的所述纯水的流量。清洗该第一纯水供给配管时的该纯水的流量，大于清洗该基板时的该纯水的流量。优选的方式是，其特征在于，所述双氧水所包含的过氧化氢的浓度为5～6％。优选的方式是，其特征在于，所述规定时间为4小时以上。优选的方式是，其特征在于，将纯水供给至所述第一纯水供给配管来清洗所述第一纯水供给配管的内部的时间为1小时以上。优选的方式是，其特征在于，在将纯水供给至所述第一纯水供给配管来清洗所述第一纯水供给配管的内部后，将双氧水供给至所述第二纯水供给配管内，由双氧水填满所述第二纯水供给配管，将由双氧水填满的所述第二纯水供给配管放置规定时间；之后，将纯水供给至所述第二纯水供给配管内，清洗所述第二纯水供给配管；在将所述第二纯水供给配管放置所述规定时间的期间，由所述第一清洗路径清洗基板。专利技术效果根据本专利技术，设有第一纯水供给配管与第二纯水供给配管两个系统。该第一纯水供给配管及第二纯水供给配管分别与第一清洗路径及第二清洗路径连接，独立地将纯水供给至第一清洗路径及第二清洗路径。因此，在第一清洗路径或第二清洗路径中的任一单元产生细菌时，仅将双氧水供给至该产生细菌的清洗路径的纯水供给配管即可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具备：第一清洗路径，该第一清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第一清洗单元；第二清洗路径，该第二清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第二清洗单元；第一纯水供给配管，该第一纯水供给配管将所述纯水供给至所述第一清洗路径；及第二纯水供给配管，该第二纯水供给配管将所述纯水供给至所述第二清洗路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.27 JP 2014-0669981.一种基板处理装置，其特征在于，具备：第一清洗路径，该第一清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第一清洗单元；第二清洗路径，该第二清洗路径包含将纯水供给至基板来清洗该基板的多个第二清洗单元；第一纯水供给配管，该第一纯水供给配管将所述纯水供给至所述第一清洗路径；及第二纯水供给配管，该第二纯水供给配管将所述纯水供给至所述第二清洗路径。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：第一导入口及第二导入口，该第一导入口及第二导入口用于分别将双氧水导入所述第一纯水供给配管及所述第二纯水供给配管。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一清洗单元具备：将纯水供给至基板的第一纯水供给喷嘴；及将纯水与药液的混合液体供给至基板的第一药液供给喷嘴；所述第一纯水供给配管具有：与所述第一纯水供给喷嘴连接的第一纯水供给线；及与所述第一药液供给喷嘴连接的第一纯水混合线。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一纯水混合线经由用于将所述纯水与所述药液进行混合的混合机而延伸至所述第一药液供给喷嘴。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二清洗单元具备：将纯水供给至基板的第二纯水供给喷嘴；及将纯水与药液的混合液体供给至基板的第二药液供给喷嘴；所述第二纯水供给配管具有：与所述第二纯水供给喷嘴连接的第二纯水供给线；及与所述第二药液供给喷嘴连接的第二纯水混合线。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二纯水混合线经由用于将所述纯水与所述药液进行混合的混合机而延伸至所述第二药液供给喷嘴。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一清洗路径还包含：第一干燥单元，该第一干燥单元将所述纯水供给至所述基板，之后使所述基板干燥；所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：国泽淳次，丸山徹，今井正芳，前田幸次，宫崎充，本坊光朗，丰增富士彦，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP