【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对基板进行处理的基板处理系统以及清洗管道的管道清洗方法。
技术介绍
使用基板处理装置对半导体晶圆等基板进行各种处理。例如，专利文献1所述的基板处理装置包括：利用处理液对基板进行处理的多个处理单元和向这些处理单元供给处理液的处理液供给部。处理液供给部包括多个处理液供给模块。在对基板进行处理时，从多个处理液供给模块中任意一个通过管道向各处理单元的喷嘴供给处理液。处理液从喷嘴向基板喷出。在工厂等设置这样的基板处理装置的情况下，基板处理装置运转前，必须去除在管道以及喷嘴等的内部存在的粒子(尘埃)等污染物。另外，必须在合适的时期去除因使用基板处理装置而附着在管道等上的附着物。因此，需要对基板处理装置的管道等进行清洗。在专利文献1所述的基板处理装置中，在处理液供给模块内设置有三通阀。三通阀与处理液供给管以及清洗液供给管连接。在对基板进行处理时，切换三通阀，以使从处理液供给管所供给的处理液供给至处理单元。在对管道等进行清洗时，切换三通阀，以使从清洗液供给管所供给的清洗液供给至处理单元。由此，对管道等进行清洗。专利文献1：日本特开2010-147212号公报专利技...
【技术保护点】
一种基板处理系统，其中，具有：基板处理装置，其对基板进行处理，处理液供给单元，其通过管道向所述基板处理装置供给处理液，清洗单元；所述处理液供给单元包括在对基板进行处理时贮存所述处理液的处理液槽，所述基板处理装置包括在对基板进行处理时向基板供给所述处理液的处理单元，所述处理液槽与所述处理单元通过所述管道连接，所述清洗单元构成为，在对所述管道进行清洗时，在将第一清洗液供给至所述处理液供给单元的所述处理液槽后，准备第二清洗液，并将已准备的所述第二清洗液供给至所述处理液槽，所述处理液供给单元构成为，在对所述管道进行清洗时，在将从所述清洗单元供给的所述第一清洗液贮存于所述处理液槽后，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.10 JP 2014-046373;2014.03.27 JP 2014-065621.一种基板处理系统，其中，具有：基板处理装置，其对基板进行处理，处理液供给单元，其通过管道向所述基板处理装置供给处理液，清洗单元；所述处理液供给单元包括在对基板进行处理时贮存所述处理液的处理液槽，所述基板处理装置包括在对基板进行处理时向基板供给所述处理液的处理单元，所述处理液槽与所述处理单元通过所述管道连接，所述清洗单元构成为，在对所述管道进行清洗时，在将第一清洗液供给至所述处理液供给单元的所述处理液槽后，准备第二清洗液，并将已准备的所述第二清洗液供给至所述处理液槽，所述处理液供给单元构成为，在对所述管道进行清洗时，在将从所述清洗单元供给的所述第一清洗液贮存于所述处理液槽后，将所述处理液槽内的所述第一清洗液通过所述管道供给至所述处理单元，由此清洗所述管道，在将从所述清洗单元供给的所述第二清洗液贮存于所述处理液槽后，将所述处理液槽内的所述第二清洗液通过所述管道供给至所述处理单元，由此清洗所述管道，所述清洗单元以与利用所述第一清洗液对所述管道的清洗并行的方式来准备所述第二清洗液。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中，还具有：供给路径，其用于从所述清洗单元向所述处理液槽供给所述第一清洗液以及所述第二清洗液，开闭装置，其用于开闭所述供给路径；所述开闭装置在从所述清洗单元向所述处理液槽供给所述第一清洗液时打开所述供给路径，在向所述处理液槽供给所述第一清洗液后关闭所述供给路径。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中，还具有惰性气体供给部，在利用所述第二清洗液清洗所述管道后，所述惰性气体供给部向所述供给路径以及清洗单元内供给惰性气体。4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理系统，其中，所述清洗单元能够相对于所述处理液供给单元连接或者断开。5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理系统，其中，所述处理液供给单元包括多个所述处理液槽，所述清洗单元能够与多个所述处理液槽连接。6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理系统，其中，所述处理液供给单元还包括循环路径，所述循环路径使所述处理液槽的所述第一清洗液通过过滤器循环，所述清洗单元以与所述第一清洗液通过所述循环路径的循环并行的方式来准备所述第二清洗液。7.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理系统，其中，还具有气体供给系统，所述气体供给系统在向所述管道供给第一清洗液的第一期间以及向所述管道供给第二清洗液的第二期间中的至少一个期间，向所述管道供给气体。...
【专利技术属性】
技术研发人员：樋口鲇美，藤田惠理，吉田祥司，野村真志，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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