半导体制程机台制造技术

本发明专利技术是关于一种半导体制程机台，包括：用来容纳第一流体的第一槽体、第二槽体、循环系统、流体供应系统以及溢流系统。第二槽体用来接收由第一槽体溢流的第一流体，使其流入第二槽体的上方部，并容纳第二流体。循环系统建构于第一槽体与第二槽体之间，包括第一管路，且具有低于第二流体表面的第一端口。流体供应系统与第二槽体连结，用来供应流入第二槽体的第二液体，包括有第二管路，且具有低于第二流体表面的第二端口。溢流系统连结于第二槽体，当第二流体的表面等于或高于预设高度时，从第二槽体中移除第二流体的上方部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制程机台，特别是涉及一种半导体湿式制程机
技术介绍
随着电子产品的进步，半导体技术被广泛地应用来制造记忆体、中央 处理器、液晶显示器、发光二极管、激光二极管以及其他元件或晶片组。 为了达到高集成密度和高速的要求，半导体集成电路的尺寸已经大幅缩减， 同时各种不同的材质，例如铜或超低介电系数材质，也被建议与其他用来 克服这些材质所衍生的制程难题的技术一起使用。当集成电路的特征尺寸 降低时，集成电路各层之间的厚度差异，将会影响集成电路的电性表现。请参照图1,图1是绘示一种传统移除氮化硅的工作台(Nitride Removing Bench)的结构剖面图。移除氮化硅的工作台100包括一个内槽110 与一个紧邻内槽110的外槽120。其中，内槽110是用来提供磷酸115以移 除基材(未绘示)上的氮化硅。磷酸115溢流进入外槽120。循环系统130则 是用来将储存于外槽120中的磷酸125经由管路131循环进入内槽110。循 环系统130具有依序相连的泵133、加热器135和过滤器137。再生(Refresh) 系统140包括有管路141，可以在磷酸125的上表面或靠近上表面的地方提 供新鲜的磷酸145。溢流系统150包括管路151,是用来从外槽120移除多 余的磷酸125。由于，再生系统140是在磷酸125的上表面或靠近上表面的地方提供 新鲜的磷酸145，因此新鲜的磷酸145可能因而直接由溢流系统150的管路 151流出系统。此外由内槽110溢流进入外槽120的旧磷酸也可能无法由溢 流系统150排出，而与新鲜的磷酸进行混合，造成新旧磷酸交互污染的问 题。因此有需要提供一种半导体制程机台，避免新旧石舞酸在外槽进行完全 均匀的混合，以解决习知技术因为新旧磷酸交互污染所造成的问题。有鉴于上述现有的半导体制程机台存在的缺陷，本专利技术人基于从事此 类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创设一种新型的半导体制程机台，能够改进一般现 有的半导体制程机台，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经 过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的半导体制程机台存在的缺陷，而 提供一种新型的半导体制程机台，所要解决的技术问题是采用特定循环系 统与流体供应系统来提供制成液体，使循环系统与流体供应系统中管路的 端口配置于特定位置，避免新旧流体在外槽进行完全均匀的混合而交互污 染，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种半导体制程机台，包括 一第一槽体，用来容纳一第一 流体； 一第二槽体，用来接收由该第一槽体所溢流的该第一流体，使该第 一流体流入该第二槽体的一上方部份，另外该第二槽体也用来容纳一第二 流体； 一循环系统，建构于该第一槽体与该第二槽体之间，其中该循环系 统包括至少一第一管路，且该第一管路具有位于该第二槽体之内，且低于 该第二流体的表面的一第一端口； 一流体供应系统，借由液体流通的方式与该第二槽体连结，用来供应该第二液体使其流入该第二槽体，此液体供 应系统包括至少一第二管路，且该第二管路具有位于该第二槽体之内，低 于该第二流体的表面的一第二端口；以及一溢流系统，连结于该第二槽体， 当该第二流体的该表面等于或高于 一预设高度时，用来从该第二槽体中移 除该第二流体的 一上方部份。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体制程机台，其中所述的第二管路的该第二端口是邻近该 第一管路的该第一端口。前述的半导体制程机台，其中所述的第二管路的该第二端口与该第二 槽体的一底部间的距离是介于3cm至5cm之间。前述的半导体制程机台，其中所述的循环系统更包括依序相连的一泵、 一加热器和一过滤器。前述的半导体制程机台，其中所述的加热器是连用来将流经该加热器 的该第二液体加热，使该第二流体的温度介于159.5。C到160.5。C之间。前述的半导体制程机台，其中所述的第三流体包括磷酸，以及该流体 供应系统是用来以每分钟0.6公升至每分钟0.9公升之间的一流速供应该磷 酸。前述的半导体制程机台，其中所述的循环系统是用来提供该第二流体 每分钟19公升至每分钟20公升的一循环速率。前述的半导体制程机台，其中更包括 一储存媒体，用来储存要在该第一槽体中进行制程处理的该基材的一数量资讯；以及一处理器，与该储存媒体和该流体供应系统连接，其中该处理器是用来配合该基材的该数量 产资讯生一讯号，借以控制该第二液体流入该第二槽体的 一流速。前述的半导体制程机台，其中所述的处理器是根据一方程式来计算加入该第二槽体的该第二液体的供应量，该方程式为Y=50-3250/(65+0.28X) 其中Y代表该第二液体的该供应量，X代表基材的数量。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 专利技术提出的一种半导体制程机台，包括 一第一槽体，用来容纳一第一流 体； 一第二槽体，林偕该第一槽体，用来容纳一第二流体； 一循环系统， 建构于该第 一槽体与该第二槽体之间，其中该循环系统包括至少一第 一管 路，且该第一管路具有位于该第二槽体之内，且低于该第二流体的表面的 一第一端口； 一流体供应系统，借由液体流通的方式与该第二槽体连结， 用来供应该第二液体使其流入该第二槽体，此液体供应系统包括至少 一第 二管路；以及一溢流系统，连结于该第二槽体，当该第二流体的该表面等 于或高于一预设高度时，用来移除该第二流体。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体制程机台，其中用来计算加入该第二槽体的该第二液体 的供应量方程式为Y=50-3250/(65+0.28X)其中Y代表该第二液体的供应 量，X代表基材的数量。前述的半导体制程机台，其中所述的第二管路的该第二端口邻近于该 第一管路的该第一端口。前述的半导体制程机台，其中所述的第二管路的该第二端口与该第二 槽体的一底部间的距离是介于3cm至5cm之间。前述的半导体制程机台，其中所述的循环系统更包括依序相连的一泵、一加热器和一过滤器。前述的半导体制程机台，其中所述的加热器是连用来将流经该加热器的该第二液体加热，使该第二流体的温度介于159.5。C到160.5。C之间。前述的半导体制程机台，其中所述的第三流体包括磷酸，以及该流体供应系统是用来以每分钟0.6公升至每分钟0.9公升的一流速供应该磷酸。前述的半导体制程机台，其中所述的循环系统是用来提供该第二流体每分钟19公升至每分钟20公升的一循环速率。根据本专利技术的一个实施例，提供一种半导体制程机台，此半导体制程机台包括第一槽体用来容纳第一流体。第二槽体则用来接收由第一槽体所溢流的第一流体，使第一流体流入第二槽体的上方部份。另外第二槽体也用来容纳第二流体。循环系统建构于第一槽体与第二槽体之间。此循环系统包括至少一条第一管路，而这条第一管路具有位于第二槽体之内，且实质低于第二流体的表面的 一端口 。流体供应系统借由液体流通的方式与第二槽体连结，是用来供应第二液体，使其流入第二槽体。此液体供应系统包括至少一条第二管路。且这条第二管路具有位于第二槽体之内，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制程机台，其特征在于包括：一第一槽体，用来容纳一第一流体；一第二槽体，用来接收由该第一槽体所溢流的该第一流体，使该第一流体流入该第二槽体的一上方部份，另外该第二槽体也用来容纳一第二流体；一循环系统，建构于该第一槽体与该第二槽体之间，其中该循环系统包括至少一第一管路，且该第一管路具有位于该第二槽体之内，且低于该第二流体的表面的一第一端口；一流体供应系统，借由液体流通的方式与该第二槽体连结，用来供应该第二液体使其流入该第二槽体，此液体供应系统包括至少一第二管路，且该第二管路具有位于该第二槽体之内，低于该第二流体的表面的一第二端口；以及一溢流系统，连结于该第二槽体，当该第二流体的该表面等于或高于一预设高度时，用来从该第二槽体中移除该第二流体的一上方部份。

【技术特征摘要】
US 2007-5-29 11/754,8431、一种半导体制程机台，其特征在于包括一第一槽体，用来容纳一第一流体；一第二槽体，用来接收由该第一槽体所溢流的该第一流体，使该第一流体流入该第二槽体的一上方部份，另外该第二槽体也用来容纳一第二流体；一循环系统，建构于该第一槽体与该第二槽体之间，其中该循环系统包括至少一第一管路，且该第一管路具有位于该第二槽体之内，且低于该第二流体的表面的一第一端口；一流体供应系统，借由液体流通的方式与该第二槽体连结，用来供应该第二液体使其流入该第二槽体，此液体供应系统包括至少一第二管路，且该第二管路具有位于该第二槽体之内，低于该第二流体的表面的一第二端口；以及一溢流系统，连结于该第二槽体，当该第二流体的该表面等于或高于一预设高度时，用来从该第二槽体中移除该第二流体的一上方部份。2、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的第二管 路的该第二端口是邻近该第一管路的该第一端口。3、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的第二管 路的该第二端口与该第二槽体的一底部间的距离是介于3cm至5cm之间。4、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的循环系 统更包括依序相连的一泵、 一加热器和一过滤器。5、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的加热器 是连用来将流经该加热器的该第二液体加热，使该第二流体的温度介于 159.5。C到160.5。C之间。6、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的第三流 体包括磷酸，以及该流体供应系统是用来以每分钟0,6公升至每分钟0.9公 升之间的一流速供应该磷酸。7、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于所述的循环系 统是用来提供该第二流体每分钟19公升至每分钟20公升的一循环速率。8、 根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于更包括 一储存媒体，用来储存要在该第 一槽体中进行制程处理的该基材的一数量资讯；以及一处理器，与该储存媒体和该流体供应系统连接，其中该处理器是用 来配合该基材的该数量产资讯生一讯号，借以控制该...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤广年，范扬楷，苏裕盛，江明晁，石育政，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]