将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法技术

本发明专利技术提供一种将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法，属于半导体芯片封装技术领域。该方法包括步骤：（1）提供后道工序结束后、封装准备前的晶圆；（2）在所述晶圆正面贴保护膜；（3）研磨所述晶圆背面实现减薄；（4）所述晶圆背面贴划片膜；（5）在高于常温条件下揭去所述保护膜；（6）划片切割所述晶圆；以及（7）清洗表面颗粒并吹干。该方法具有所切割的晶粒成品率高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体芯片封装
,涉及切割晶圆(wafer)成晶粒(die)的方法，尤其涉及用于制备传感器芯片的晶圆的切割方法。
技术介绍
半导体芯片制造的过程中，包括晶圆(晶圆)制备过程和封装过程，通常地，晶圆制备过程在晶圆厂完成，而封装过程中在封装测试厂完成。晶圆厂完成的晶圆一般已经完成各道后道工序以及相关测试工作。而在封装的过程中，首先，需要将晶圆切割成一个个具有独立电路功能的晶粒，以便进一步将晶粒封装成芯片。 图I所示为现有技术的将晶圆切割成晶粒的方法。现有的切割方法过程主要包括以下步骤 S110，提供后到工序结束后、封装准备前的晶圆； S120，采用贴膜自动化设备在晶圆正面贴保护模； S130，研磨晶圆背面实现减薄； S140，去除正面的保护模； S150，晶圆背面贴划片膜； S160，划片切割；以及 S170，高压水清洗。以上切割方法过程对于常规的芯片(例如存储器芯片)的晶圆非常合适。但是对于，特殊类型的晶圆，例如，用于制备传感器芯片的晶圆，实践证明，该切割方法不是很适用。图2所示为现有技术的用于制备传感器芯片的晶粒的基本结构示意图。如图2所示，一般地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供后道工序结束后、封装准备前的晶圆；（2）在所述晶圆正面贴保护膜；（3）研磨所述晶圆背面实现减薄；（4）所述晶圆背面贴划片膜；（5）在高于常温条件下揭去所述保护膜；（6）划片切割所述晶圆；以及（7）清洗表面颗粒并吹干。

【技术特征摘要】
1.一种将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)提供后道工序结束后、封装准备前的晶圆； (2)在所述晶圆正面贴保护膜； (3)研磨所述晶圆背面实现减薄； (4)所述晶圆背面贴划片膜； (5)在高于常温条件下揭去所述保护膜； (6)划片切割所述晶圆；以及 (7)清洗表面颗粒并吹干。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，采用手动的方式完成贴膜过程，并采用手动的方式裁边以去除多余的保护膜。3.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述保护膜的厚度基本为200微米。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过滚筒滚压所述保护膜以排除晶圆与保护膜之间的气泡。5.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，依次包括粗磨过程和精磨过程。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述研磨过程通过双轴研磨设备完成；其中，所述粗磨过程使用第一轴，所述精磨过程中使用第二轴，通过控制所述第一轴和所述第二轴的纵向进给速度以控制研磨的速度。7.如权利要求6所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜林，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：