光器件晶片的分割方法技术

本发明专利技术提供一种光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在通过设定在表面上的多个交叉的分割预定线而划分的各区域上分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在蓝宝石等晶体生长用衬底上通过外延生长来形成具有多个光器件的发光层的。
技术介绍
在激光二极管(LD)或发光二极管(LED)等光器件的制造工艺中，制造如下所述的光器件晶片在由蓝宝石或SiC等构成的晶体生长用衬底的上面，例如通过外延生长来形成具有多个光器件的发光层(外延层)。 LD、LED等光器件形成在通过以格子状形成的分割预定线划分的各区域上，通过沿着分割预定线分割光器件晶片来实现个片化，从而制造各个光器件。以往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，公知有如下所述的方法沿着分割预定线照射对晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束来形成激光加工槽，通过对该激光加工槽施加外力来割断光器件晶片(例如，参照日本特开平10-305420号公报)。另外，还公开有如下所述的方法将对光器件晶片具有透过性的波长的脉冲激光束，将其聚光点对准到晶片内部来照射，从而在内部形成沿着分割预定线的改质层，通过在该改质层中在强度下降的分割预定线上施加外力来分割光器件晶片(例如，参照日本特开2005-86161 号公报)。另一方面，在日本特开平10-125956号公报及日本特开平10-308532号公报中公开有为了提高光器件的亮度，在光器件芯片的背面侧形成了反射膜的光器件芯片。专利文献I日本特开2005-86161号公报专利文献2日本特开平10-125956号公报专利文献3日本特开平10-308532号公报当在将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部的状态下从光器件晶片的表面侧照射激光束时，存在如下所述的问题。即、被定位在光器件晶片的内部的激光束的聚光点越接近光器件晶片的背面侧，光器件晶片的表面中的激光束的射束点越大。因此，为了防止通过激光束的照射而损坏光器件，分割预定线需要充分的宽度，每个光器件晶片的光器件芯片的安装数量减少，生产性恶化。在光器件晶片中，也存在以提高光器件芯片的亮度为目的在与晶体生长用衬底的外延层之间的界面侧上形成有微细的凹凸的光器件晶片，在这样的光器件晶片中不能从表面侧照射激光束。另一方面，在从光器件晶片的背面侧照射激光束时，在背面侧形成有反射膜的光器件晶片中存在如下所述的问题根据反射膜的种类和激光束的波长，照射在光器件晶片的背面的激光束会被反射，不能实施激光加工。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供如下所述的，能够从背面侧照射激光束而将在背面侧具有反射膜的光器件晶片分割为各个光器件芯片。根据本专利技术，提供，该光器件晶片在通过设定在表面上的多个交叉的分割预定线而划分的各区域上分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该的特征在于包括激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80%以上。优选的是，在激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长在680nnTl_的范围内。优选的是，反射膜由层叠折射率不同的材料而成的多层膜构成。本申请的专利技术人通过专心的研究，发现通过从光器件晶片的里面照射对于激光束的反射膜的反射率小于20%、即对于反射膜的激光束的透过率为80%以上的波长的激光 束，从而能够在光器件晶片的内部形成改质层。基于该发现，根据本专利技术，从在里面具有反射膜的光器件晶片的里背面侧照射激光束而在内部形成改质层，能够将改质层作为分割起点而将光器件晶片分割为光器件芯片，能够解决不能从里面侧实施激光加工、或生产性恶化等以往的问题点。附图说明图I是适合实施本专利技术的分割方法的激光加工装置的立体图。图2是光束照射单元的框图。图3是光器件晶片的表面侧立体图。图4是在里面具有反射膜的光器件晶片的剖视图。图5是示出激光束照射步骤的立体图。图6是说明激光束照射步骤的剖视图。图7是说明激光束照射步骤的其他实施方式的剖视图。图8是示出第I实施方式的分割步骤的剖视图。图9是示出第2实施方式的分割步骤的剖视图。符号说明2 :激光加工装置；11 :光器件晶片；13 :蓝宝石衬底；15 :外延层；17 :分割预定线；19 :光器件；21 :反射膜；23 :改质层；28 :工作台；34 :激光束照射单元；36 :聚光器；80 :分割夹具。具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。参照图1，示出在本专利技术的中适合形成作为分割起点的改质层的激光加工装置2的概略结构图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向移动的方式搭载在静止基座4上的第I滑块6。第I滑块6是通过由滚珠丝杆8及脉冲电机10构成的加工进给单元12，沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向移动。在第I滑块6上以能够在Y轴方向移动的方式搭载有第2滑块16。S卩、第2滑块16通过由滚珠丝杆18及脉冲电机20构成的分度进给单元22而沿着一对导轨24在分度方向、即Y轴方向移动。在第2滑块16上隔着圆筒支撑部材26搭载有工作台28，工作台28能够通过加工进给单元12及分度进给单元22而在X轴方向及Y轴方向移动。在工作台28上设置有夹住吸引保持在工作台28上的半导体晶片的夹紧器30。在静止基座4上竖立设置有柱32，在该柱32上安装有收纳激光束照射单元34的壳体35。如图2所示，激光束照射单元34包含振荡出YAG激光或YV04激光的激光振荡器62 ;重复频率设定单元64 ;脉宽调整单元66 ；以及功率调整单元68。通过激光束照射单元34的功率调整单元68而调整为规定功率的脉冲激光束，在安装在壳体35的前端的聚光器36的反射镜70上反射，进而通过聚光用物镜72会聚而照射到保持在工作台28上的光器件晶片11。 在壳体35的前端部上配置有聚光器36和摄像单元38，该摄像单元38在X轴方向上进行对齐而检测应激光加工的加工区域。摄像单元38包含通过可见光对半导体晶片11的加工区域进行摄像的通常的CXD等摄像元件。摄像单元38还包含红外线照射单元，其对半导体晶片11照射红外线；光学系统，其捕获通过红外线照射单元照射的红外线；红外线摄像单元，其由输出与通过该光学系统捕获的红外线对应的电信号的红外线CCD等红外线摄像元件构成，其中，所摄像的图像信号被发送到控制器(控制单元)40。控制器40由计算机构成，具有中央处理装置(CPU)42，其根据控制程序来进行运算处理；只读存储器(R0M)44，其存储控制程序等；可读写的随机存取存储器(RAM)46，其存储运算结果等；计数器48 ;输入接口 50 ;以及输出接口 52。56是由沿着引导轨道14配置的直线尺54、和配置在第I滑块6上的未图示的读取头构成的加工进给量检测单元，加工进给量检测单元56的检测信号输入到控制器40的输入接口 50。60是由沿着导轨24配置的直线尺58和配置在第2滑块16上的未图示的读取头构成的分度进给量检测单元，分度进给量检测单元60的检测信号输入到控制器40的输入接口 50。通过摄像单元38摄像的图像信号也输入到控制器40的输入接口 50。另一方面，从控制器40的输出接口 52向脉冲电机10、脉冲电机20、激光束照射单元34等输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在由设定在表面上的多个交叉的分割预定线划分的各区域分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中，照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80％以上。

【技术特征摘要】
2011.05.12 JP 2011-1072061.一种光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在由设定在表面上的多个交叉的分割预定线划分的各区域分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜， 该光器件晶片的分割方法的特征在于包括 激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及 分割步骤，在实...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野宽海，星野仁志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：