晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，在该中，形成作为分割的起点的改质层而将晶片分割成多个芯片。
技术介绍
在以移动电话为代表的小型且重量轻的电子设备中，具有1C等器件的器件芯片是必要的结构。例如通过下述过程制造器件芯片(以下，称为芯片):利用被称为间隔道的多条分割预定线来划分由硅等材料制成的晶片的正面，并在各区域中形成器件之后，沿着该间隔道对晶片进行分割。近年来，实用化一种沿着晶片的间隔道形成作为分割的起点的改质层并施加外力而将晶片分割成多个芯片的分割方法。在该分割方法中，例如在形成有改质层的晶片上粘贴扩展带的中央部，并以将该中央部顶起的方式扩张扩展带从而对晶片施加外力。此外，为了维持扩张扩展带而扩大的芯片的间隔，提出了如下的方法:对将扩展带的外周部固定的环状的框架的内周与晶片的外周之间的区域进行加热，使扩张后的扩展带的松弛部分部分性地收缩(例如，参照专利文献1)。如果利用该方法来维持扩大芯片的间隔的状态，则能够容易地进行后续的处理等。并且，根据该方法，能够防止因带的松弛导致的芯片之间的磨损而能够避免破损。专利文献1:日本特开2007-27562号公报
技术实现思路
在上述的方法中，在对框架的内周与晶片的外周之间的区域进行加热之前，利用卡盘工作台对扩张后的扩展带进行吸引来维持芯片的间隔，同时解除对扩展带的顶起而将晶片与框架定位在相同的高度。然而，当解除扩展带的顶起时，有时扩展带会在框架的内周与晶片的外周之间挠曲而隆起，且扩展带从卡盘工作台翻卷。在该情况下，特别是在扩展带的翻卷的部分，无法适当地维持芯片的间隔。本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供给一种，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。根据本专利技术，提供一种，所述晶片在正面上具有:器件区域，在该器件区域中，通过分割预定线划分出多个器件；以及外周剩余区域，其围绕该器件区域，在所述中，沿着该分割预定线对所述晶片进行分割，其特征在于，所述具有如下步骤:改质层形成步骤，利用透过晶片的波长的激光光线在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；晶片单元准备步骤，准备晶片单元，该晶片单元在环状的框架的开口中借助于扩展带而支承晶片；扩张准备步骤，在实施了该改质层形成步骤和该晶片单元准备步骤之后，隔着该扩展带将该晶片单元的晶片载置在卡盘工作台的保持面上，并且利用框架保持构件保持该框架；扩张步骤，在实施了该扩张准备步骤之后，以将该卡盘工作台相对于该框架保持构件顶起的方式使该卡盘工作台与该框架保持构件相对移动而扩张该扩展带，以该改质层为起点将晶片沿着该分割预定线分割成多个芯片并扩张该芯片的间隔；顶起解除步骤，在实施了该扩张步骤之后，借助于该扩展带通过该卡盘工作台的该保持面吸引保持晶片而维持该芯片的间隔，并解除该卡盘工作台相对于该框架保持构件的顶起状态；以及松弛去除步骤，在实施了该顶起解除步骤之后，对在该扩张步骤中被扩张而产生松弛的该卡盘工作台外周与该框架内周之间的该扩展带施加刺激，而去除松弛，在该改质层形成步骤中，通过按照规定的该分割预定线以除该外周剩余区域以外的方式形成该改质层，增大形成在该外周剩余区域中的边料芯片的面积，即使在该顶起解除步骤中该卡盘工作台外周与该框架内周之间的该扩展带隆起，仍防止由该保持面保持的该扩展带从该保持面翻卷而无法维持该芯片的间隔的情况。在本专利技术中，在该改质层形成步骤中，以在该扩张步骤中将该器件区域分割成多个该芯片的程度在该外周剩余区域中形成该改质层。在本专利技术的中，在改质层形成步骤中，按照规定的分割预定线以除了外周剩余区域以外的方式形成改质层，使边料芯片实现大面积化，因此即使扩展带因挠曲而隆起也难以从卡盘工作台翻卷。这样，根据本专利技术，能够提供一种，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。【附图说明】图1是示意性地示出本实施方式的晶片单元的立体图。图2是示意性地示出改质层形成步骤的局部剖视侧视图。图3是示意性地示出扩展带的方向和改质层之间的关系的立体图。图4中的(A)是示意性地示出扩张准备步骤的图，图4中的(B)是示意性地示出扩张步骤的图。图5中的㈧是示意性地示出顶起解除步骤的图，图5中的⑶是示意性地示出松弛去除步骤的图。标号说明1:晶片单元；11:晶片；lla:正面；llb:背面；13:器件区域；15:外周剩余区域；17:间隔道(分割预定线)；19:器件;21:扩展带；21a:隆起;23:框架;25:改质层;27a:芯片；27b:边料芯片；2:激光加工装置；4:保持工作台；4a:保持面；6:夹具；8:激光加工头；12:芯片间隔维持装置；14:卡盘工作台；16:框体；18:多孔质部件；18a:支承面；20:吸引路;22:阀;24:吸引源；26:卡盘工作台升降机构；28:缸筒;30:活塞杆;32:框架保持工作台(框架保持构件);34:支承腿；36:板；38:远红外线加热器(刺激施加构件)。【具体实施方式】参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式的包含晶片单元准备步骤(参照图1)、改质层形成步骤(参照图2)、扩张准备步骤(参照图4中的(A))、扩张步骤(参照图4中的(B))、顶起解除步骤(参照图5中的(A))以及松弛去除步骤(参照图5中的(B))。在晶片单元准备步骤中，准备经由扩展带而将晶片而支承在环状的框架上的晶片单元。在改质层形成步骤中，使激光光线聚光在晶片的内部，形成沿着间隔道(分割预定线)的改质层。在扩张准备步骤中，将晶片载置在芯片间隔维持装置所具有的卡盘工作台上，利用框架保持工作台(框架保持构件)保持框架。在扩张步骤中，以相对于框架保持工作台将卡盘工作台顶起的方式进行移动而扩张扩展带。由此，沿着形成有改质层的间隔道将晶片分割成多个芯片，并且扩大芯片的间隔。在顶起解除步骤中，利用卡盘工作台吸引保持晶片而维持芯片的间隔，并且解除卡盘工作台的顶起状态。在松弛去除步骤中，在卡盘工作台的外周与框架的内周之间对扩展带施加刺激，去除扩展带的松弛。以下，对本实施方式的进行详细描述。首先，实施准备晶片单元的晶片单元准备步骤。图1是示意性地示出本实施方式的晶片单元的立体图。如图1所示，晶片单元1例如包含由硅等材料形成的圆盘状的晶片11ο晶片11的正面lla被分成中央的器件区域13和包围器件区域13的外周剩余区域15。该器件区域13和外周剩余区域15被排列成格子状的间隔道(分割预定线)17进一步划分成多个小区域，在器件区域13内的各个小区域中形成有1C等器件19。在晶片单元准备步骤中，例如在晶片11的背面lib侧粘贴直径大于晶片11的扩展带21。扩展带21由树脂等材料形成，能够通过对其施加外力而扩张。在该扩展带21的外周部上粘贴有环状的框架23，该环状的框架23具有大致圆形的开口。由此，晶片11经由扩展带21而被支承在环状的框架23上。另外，在图1中，在晶片11的背面lib侧粘贴有扩展带21，但是也可以在晶片11的正面lla侧粘贴扩展带21。在晶片单元准备步骤之后，实施沿着晶片11的间隔道17形成改质层的改质层形成步骤。图2是示意性地示出改质层形成步骤的局部剖视侧视图。例如利用图2所示的激光加工装置2来实施该改质层形成步骤。激光加工装置2具有吸引保持晶片11的保持工作台4。保持工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，而绕铅直轴旋转。并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，所述晶片在正面上具有：器件区域，在该器件区域中，通过分割预定线划分出多个器件；以及外周剩余区域，其围绕该器件区域，在所述晶片的加工方法中，沿着该分割预定线对所述晶片进行分割，其特征在于，所述晶片的加工方法具有如下步骤：改质层形成步骤，利用透过晶片的波长的激光光线在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层；晶片单元准备步骤，准备晶片单元，该晶片单元在环状的框架的开口中借助于扩展带而支承晶片；扩张准备步骤，在实施了该改质层形成步骤和该晶片单元准备步骤之后，隔着该扩展带将该晶片单元的晶片载置在卡盘工作台的保持面上，并且利用框架保持构件保持该框架；扩张步骤，在实施了该扩张准备步骤之后，以将该卡盘工作台相对于该框架保持构件顶起的方式使该卡盘工作台与该框架保持构件相对移动而扩张该扩展带，以该改质层为起点将晶片沿着该分割预定线分割成多个芯片并扩张该芯片的间隔；顶起解除步骤，在实施了该扩张步骤之后，借助于该扩展带通过该卡盘工作台的该保持面吸引保持晶片而维持该芯片的间隔，并解除该卡盘工作台相对于该框架保持构件的顶起状态；以及松弛去除步骤，在实施了该顶起解除步骤之后，对在该扩张步骤中被扩张而产生松弛的该卡盘工作台外周与该框架内周之间的该扩展带施加刺激而去除松弛，在该改质层形成步骤中，通过按照规定的该分割预定线以除该外周剩余区域以外的方式形成该改质层，增大形成在该外周剩余区域中的边料芯片的面积，即使在该顶起解除步骤中该卡盘工作台外周与该框架内周之间的该扩展带隆起，仍防止由该保持面保持的该扩展带从该保持面翻卷而无法维持该芯片的间隔的情况。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：服部笃，植木笃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP