晶片的加工方法技术

技术编号:12202330 阅读:140 留言:0更新日期:2015-10-14 15:17
提供一种晶片的加工方法,其能够防止芯片的角的缺损。所述晶片的加工方法具有:保护部件设置步骤,将保护部件(21)设置在晶片(11)的正面(11a);改性层形成步骤,照射对晶片具有透射性的波长的激光束(L)来在晶片的内部形成改性层(23);保持步骤,利用保持构件(14)借助保护部件保持晶片;以及磨削步骤,利用包含磨削磨具(40)的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度,并且形成沿着改性层被分割的多个芯片(27),通过在改性层形成步骤中,形成沿着间隔道(17)的改性层(23b),并且在间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈矩形状的改性层(23b),而成为在多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部(27a)的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及分割晶片来形成多个芯片的。
技术介绍
近年来,为了实现小型轻量的器件,需要通过磨削将由硅等材料构成的晶片加工得薄。在该磨削中例如使用如下的磨削装置,该磨削装置具有:卡盘工作台,其抽吸保持晶片;以及磨削轮,其配置在卡盘工作台的上方,并在该磨削轮的下表面固定有磨具(磨削磨具)。通过在使卡盘工作台与磨削轮相互旋转的同时,使磨削轮下降来将磨削磨具按压到晶片的被加工面,而能够磨削晶片来进行薄化。但是,为了将伴随着该薄化而刚性降低的晶片分割成多个芯片而利用切削刀具等进行切削时,容易产生崩边(缺口)和裂化(裂纹)等问题。因此,近年来,如下加工方法得以实用化:使难以被晶片吸收(具有透射性)的波长的激光束会聚在晶片的内部,形成作为分割的起点的改性区域(改性层),之后对晶片进行磨削(例如,参照专利文献I)。在该加工方法中,利用在磨削时施加的外力在将晶片薄化的同时将其分割成多个芯片,因此,不需要对刚性有所降低的晶片进行切削。专利文献1:国际公开第03/077295号然而,在上述的加工方法中,通过分割形成的多个芯片彼此接近,因此,所形成的芯片在磨削中彼此接触,特别是,芯片的角缺损的可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法,所述晶片在由多条间隔道划分出的正面的各区域分别形成有器件,所述晶片的加工方法的特征在于,其具有:保护部件设置步骤,在该保护部件设置步骤中,将保护部件设置到晶片的正面;改性层形成步骤,在实施该保护部件设置步骤前或后,照射对晶片具有透射性的波长的激光束来在晶片的内部形成改性层;保持步骤,在实施了该保护部件设置步骤和该改性层形成步骤后,利用保持构件借助该保护部件保持晶片;以及磨削步骤,在实施了该保持步骤后,利用包含磨削磨具的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度,并且形成被沿着该改性层分割开的多个芯片,通过在该改性层形成步骤中,形成沿着该间隔道的改性层,并且在该间隔道的交叉区域...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:久保田一弘
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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