硅基板的分断方法技术

本发明专利技术涉及硅基板的分断方法，课题为分断硅基板时提升端面的垂直性。在硅基板(20)的一面沿着分断预定线形成槽(21)。然后，从所述槽(21)的相反面沿着槽(21)而利用划线装置形成刻划线(S)。接着，翻转硅基板(20)，从具有槽(21)的面起，沿着槽下降断裂杆(13)而使其断裂。这样，沿着刻划线的龟裂朝向槽深入，因此能将硅基板(20)完全地分断，从而可提升端面的精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，在硅基板上形成槽而进行分断。
技术介绍
以往，在分断硅基板时，大多是使用切割锯等进行分断。此外，在专利文献I中提出一种玻璃陶瓷基板的分断方法，以轻荷重对玻璃陶瓷基板进行多次划线后使其断裂。日本专利特开2001-113521号公报
技术实现思路
专利文献I中是对玻璃陶瓷基板进行多次划线，但并非分断硅基板的方法。此外，在分断玻璃板时，广泛使用的方法是，利用划线装置在玻璃板上形成刻划线，沿着刻划线使其断裂，由此进行分断，从而考虑将该分断方法应用于硅基板。例如，如图1 (a)所示，在硅基板10上利用划线轮11进行划线。然后，翻转硅基板10，以刻划线S位于一对支撑构件12a、12b中间的方式配置硅基板10。接着，若使断裂杆13从上部垂直地下降，沿着下方刻划线S的龟裂便会向上方进展，如图1 (c)所示，可与玻璃板同样地进行分断。但是，将该分断方法应用于分断硅基板时，如图1(d)所示，有分断端面容易产生毛边等而端面的垂直性下降之类的问题。本专利技术的目的在于，通过划线及断裂来分断硅基板时，能够提升端面精度地进行分断。为了解决所述问题，本专利技术的为，在所述硅基板的一面沿着分断预定线形成槽，从所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿着与所述槽对应的线形成刻划线，将断裂杆沿着所述刻划线抵压于所述硅基板的形成有槽的面并使其断裂，由此沿着刻划线进行分断。于此，所述硅基板的槽可通过照射激光而形成。所述硅基板的槽可以具有至少10 μ m的深度。根据具有此种特征的本专利技术，预先沿着硅基板的分断预定线形成槽，沿着此槽而在相反面形成刻划线，从槽部分按下断裂杆使其断裂，由此使硅基板断裂。这样，沿着刻划线的龟裂会朝向槽深入，因此获得能提升端面精度的效果。【附图说明】图1 (a)-(d)是表示以往分断硅基板的一个例子的图。图2(a)_(e)是表示本专利技术的实施方式的硅基板的分断处理的图。图3(a)_(c)是表示本专利技术的实施方式的硅基板上形成的槽的不同例子的放大剖视图。【具体实施方式】接下来，说明本专利技术的实施方式。图2(a)是表示本专利技术的实施方式的成为分断对象的娃基板20的图。该基板为具有例如0.4mm厚度的娃基板。而且，以特定图案分断该硅基板20时，首先，如图2 (b)所示，沿着分断预定线形成槽21。形成该槽21时利用激光或蚀刻而形成。本实施方式中是使用YAG激光作为激光，使例如3倍波(355nm)波长的YAG激光脉冲振荡后照射至成为槽的部分，由此沿着分断预定线形成槽21。如图3(a)所示，例如槽21的宽度w为10?15 μ m、深度d为30 μπι。接着，如图2(c)所示，翻转硅基板20，从槽21的相反面利用未图示的划线装置按压并转动划线轮11，而沿着槽21进行划线。这样形成的刻划线为刻划线S。此时使用的划线轮11可以是最外周边部的脊线处未形成切口或槽的常规划线轮(普通划线轮)，也可以是刀尖形成这切口或槽的高渗透型或非高渗透型的划线轮(日本专利文献3074143号、日本专利文献5022602号、日本专利文献5078354号、日本专利文献5055119号等)。接下来，如图2(d)所示，翻转硅基板20，以刻划线S位于未图示的断裂装置的一对支撑构件12a、12b中间的方式配置硅基板20。然后，从刻划线S的正上方下压断裂杆13，进行断裂。这样，如图2 (e)所示，可以沿着刻划线S将硅基板20完全地分断而单片化，从而可提升端面精度。且若呈格子状分断硅基板，便能获得大体正方形的个别芯片。所述实施方式中，是照射3倍波的YAG激光而在硅基板形成槽，但并不限定于此，也可以利用其他形式的激光来形成槽。此外，还可以使用等离子蚀刻等干式蚀刻、或湿式蚀刻来形成槽。此外，所述实施方式中，是将槽21的形状形成为例如剖面大体正方形状，但如图3(b)所示，也可以是底面弯曲的形状的槽。此外，如图3(c)所示，还可以是剖面为V字状的槽。此外，所述实施方式中，对于0.4mm厚度的娃基板，槽21的深度d设为30 μπι，通过将深度设为至少1ym以上，分断时可以提升端面的直线性。若硅基板的厚度变大，需要使槽的深度d更深。本专利技术可以使用划线装置和断裂装置容易地分断硅基板，对于微小硅基板的制造有效。10,20 硅基板11划线轮12a、12b 支撑构件13断裂杆21槽S刻划线【主权项】1.一种， 在所述硅基板的一面沿着分断预定线形成槽， 从所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿着与所述槽对应的线形成刻划线， 沿着所述刻划线，将断裂杆抵压于所述硅基板的形成着槽的面而使其断裂，由此沿着刻划线进行分断。2.根据权利要求1所述的，其中所述硅基板的槽是通过照射激光而形成。3.根据权利要求1所述的，其中所述硅基板的槽具有至少10μπι的深度。【专利摘要】本专利技术涉及，课题为分断硅基板时提升端面的垂直性。在硅基板(20)的一面沿着分断预定线形成槽(21)。然后，从所述槽(21)的相反面沿着槽(21)而利用划线装置形成刻划线(S)。接着，翻转硅基板(20)，从具有槽(21)的面起，沿着槽下降断裂杆(13)而使其断裂。这样，沿着刻划线的龟裂朝向槽深入，因此能将硅基板(20)完全地分断，从而可提升端面的精度。【IPC分类】H01L21/78【公开号】CN104952793【申请号】CN201410803206【专利技术人】武田真和, 村上健二, 木山直哉, 田村健太 【申请人】三星钻石工业股份有限公司【公开日】2015年9月30日【申请日】2014年12月19日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基板的分断方法，在所述硅基板的一面沿着分断预定线形成槽，从所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿着与所述槽对应的线形成刻划线，沿着所述刻划线，将断裂杆抵压于所述硅基板的形成着槽的面而使其断裂，由此沿着刻划线进行分断。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武田真和，村上健二，木山直哉，田村健太，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP