在硅基板上形成III/V族共形层的方法技术

一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括：从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III族前驱物和V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成共形层；当停止该III族前驱物的流动时，将该处理腔室加热至退火温度；和将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层的沉积可以通过使用优先蚀刻电介质区域的卤化物气体而选择性地进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在硅基板上形成III/V族共形层的方法专利技术背景专利
本专利技术的实施例一般涉及使用III族成核层在硅基板上形成III/V族材料的处理。相关技术的描述由于宽能隙(widebandgap)、高热导率和大电击穿场(electricalbreakdownfield)，III/V族半导体具有作为高温、高频及高功率微电子元件和紫外光/蓝光/绿光光电元件的有用材料的显著潜力。微电子装置应用包括AlGaNGaN多层基的激光二极管(AlGaNGaNmultilayer-basedlaserdiode)、高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)、场效应晶体管(FET)、异质结双极型晶体管(heterojunctionbipolartransistor，HBT)、发光二极管(lightemittingdiodes，LED)、紫外光光检测器(ultra-violetphotodetector)，以及通常包括用于高频、高功率通信、用于高密度光学存储、全彩色显示器(full-colordisplay)及用于其他宽能隙半导体应用的(Al,In,Ga)N基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在硅基板上形成共形层的方法，所述方法依序包括：从所述基板去除原生氧化物；将硅基板在处理腔室内定位；将所述基板加热至第一温度以从所述基板去除污染物，其中所述第一温度从大约400℃到大约800℃；将所述基板冷却至第二温度；当将III族前驱物流入所述处理腔室15秒或更短时，维持所述第二温度以产生成核层；和通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在所述成核层上生长具有期望厚度的二元III/V族层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.30 US 13/436,6441.一种形成层的方法，所述方法包括：将基板在处理腔室中定位，所述基板包括暴露表面；将第一III族前驱物气体输送至所述基板的所述暴露表面，以在所述暴露表面上沉积III族成核层，其中所述III族成核层无V族元素；和输送第二III族前驱物和V族前驱物，以在所述III族成核层上沉积III/V族层。2.如权利要求1所述的方法，其中在停止所述第二III族前驱物之后，所述V族前驱物持续流动。3.如权利要求1所述的方法，其中在输送所述第一III族前驱物之前将所述腔室加热至第一温度，并且其中在停止所述V族前驱物流动之前冷却所述腔室。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一III族前驱物和所述第二III族前驱物包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的组的III族元素。5.如权利要求1所述的方法，其中所述III/V族层是三元层。6.一种形成层的方法，所述方法包括：清洗基板的暴露表面；在第一温度下在所述暴露表面上方沉积III族成核层，其中所述III族成核层无V族元素；在第二温度下在所述III族成核层上沉积二元或三元III/V族层；和退火所述二元或三元III/V族层。7.如权利要求6所述的方法，其中所述III族成核层沉积为介于1...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍新宇，埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯，戴维·基思·卡尔森，叶祉渊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US