【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及，晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上在通过形 成为格子状的多个分割预定线划分的多个区域中形成有器件，沿着分割预定线对该晶片进 行分割。
技术介绍
如本领域的技术人员公知的那样，在半导体器件制造工艺中，形成有如下的半导 体晶片：在娃等基板的正面上通过层叠有绝缘膜和功能膜的功能层而矩阵状地形成多个 1C、LSI等器件。W运种方式形成的半导体晶片的上述器件由形成为格子状的分割预定线 划分，通过沿着该分割预定线进行分割而制造出各个半导体器件。 近年来，为了提高1C、LSI等半导体忍片的处理能力，将如下形式的半导体晶片实 用化：所述半导体晶片在娃等基板的正面上通过层叠有由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的 膜或者聚酷亚胺类、聚对二甲苯类等作为聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘 体覆盖膜化ow-k膜）的功能层而形成半导体器件。 沿着运种半导体晶片的分割预定线进行的分割通常是通过被称为划片银的切削 装置来进行的。该切削装置具有：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削构 件，其用于切削保持在该卡盘工作台上的半导体晶片；W及移动...
【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片中，在层叠于基板的正面的功能层上在通过形成为格子状的多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件，沿着分割预定线对该晶片进行分割，其特征在于，所述晶片的加工方法包含如下工序：保护部件粘贴工序，在晶片的功能层的正面上粘贴保护部件；高度记录工序，利用卡盘工作台保持实施该保护部件粘贴工序后的晶片的该保护部件侧，一边在X轴方向上对该卡盘工作台相对地进行加工进给一边检测保持在该卡盘工作台上的晶片的与分割预定线对应的背面的Z轴方向的高度位置，并记录分割预定线的X坐标和与该X坐标对应的Z坐标；切削槽形成工序，在实施该高度记录工序之后，从基板的背面侧将切削刀具定位在与...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：长冈健辅，小川雄辉，小幡翼，伴祐人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。