封装基板的加工方法技术

提供封装基板的加工方法，不降低封装器件的质量地将封装基板分割成各个封装器件。封装基板在热扩散基板的正面上在通过形成为格子状的分割预定线划分的多个区域中分别配置有器件并利用树脂包覆该多个器件，沿着分割预定线将封装基板分割成各个封装器件，封装基板的加工方法包含：树脂去除工序，沿着封装基板的分割预定线照射脉冲激光光线，沿着分割预定线去除包覆该多个器件的树脂，由此使热扩散基板的正面沿着分割预定线露出；封装器件生成工序，沿着分割预定线对实施树脂去除工序后的封装基板进行分割而生成各个封装器件，在树脂去除工序中照射的脉冲激光光线是CO2激光，且脉冲宽度被设定为几μs以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，封装基板中，在热扩散基板的正面上在通过形 成为格子状的分割预定线划分的多个区域中分别配置有器件，并利用树脂层包覆该多个器 件，沿着分割预定线对该封装基板进行分割。
技术介绍
有时将IC、LSI、LED等器件以不会因发热而导致功能降低的方式配设于被称为散 热器的热扩散基板来使用。这样在热扩散基板上配设有器件的封装器件是通过对在热扩散 基板的正面上配设有多个器件的封装基板进行分割而制造的。另外，热扩散基板除了不锈 钢或铜等金属之外，还由氮化铝等热传导率高的陶瓷形成（例如，参照专利文献1)。 封装基板构成为：在热扩散基板的正面上隔着由分割预定线形成的规定的间隔并 经由结合剂配设有多个器件，并且，为了缓和光器件发出的光而在光器件的上表面上包覆 娃树脂。 为了沿着分割预定线将上述封装基板切断而分割成各个封装器件，使用被称为划 片机的具有切削刀具的切削装置。 并且，作为沿着分割预定线切断封装基板的方法，也可以使用沿着分割预定线照 射激光光线的方法。 专利文献1 :日本特开2009-224683号公报
技术实现思路
然而，当利用具有切削刀具的切削装置沿着分割预定线切断封装基板时，存在如 下的问题：由于包覆在热扩散基板的正面上的硅树脂产生挤裂，因此必须将加工进给速度 设定为5mm/秒左右的低速，生产性变差。 另一方面，在通过沿着封装基板的分割预定线照射激光光线而沿着分割预定线切 断封装基板的方法中，存在如下问题：合成树脂熔融而导致激光加工槽的两侧被加工成锥 状并且产生焦糊而显著降低封装器件的质量。 本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种封装基板的加 工方法，能够在不降低封装器件的质量的情况下将封装基板分割成各个封装器件。 为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术提供一种，所述 封装基板中，在热扩散基板的正面上在通过形成为格子状的分割预定线划分的多个区域中 分别配置有器件，并利用树脂包覆该多个器件，在所述中，沿着分割预 定线将该封装基板分割成各个封装器件，其特征在于，所述包含： 树脂去除工序，沿着封装基板的分割预定线照射脉冲激光光线而沿着分割预定线 去除包覆该多个器件的树脂，由此使热扩散基板的正面沿着分割预定线露出；以及 封装器件生成工序，沿着分割预定线对实施该树脂去除工序后的封装基板进行分 害J，由此生成各个封装器件， 在该树脂去除工序中照射的脉冲激光光线是C02激光，且脉冲宽度被设定为几μs 以下。 上述热扩散基板由氮化铝陶瓷形成，树脂是硅树脂。 在上述封装器件生成工序中，通过利用切削刀具沿着分割预定线切断热扩散基板 而分割出各个封装器件。 并且，在上述封装器件生成工序中通过沿着热扩散基板的分割预定线照射激光光 线而分割出各个封装器件。 在本专利技术的中，在树脂去除工序中，沿着封装基板的分割预 定线照射脉冲激光光线，沿着分割预定线去除包覆多个器件的树脂，由此使热扩散基板的 正面沿着分割预定线露出，在树脂去除工序中照射的脉冲激光光线是C02激光，且将脉冲宽 度设定为几μs以下，因此，与由切削刀具进行的切削加工不同，是非接触的加工，因此能 够在不使硅树脂产生挤裂的情况下高效地实施树脂去除工序。 并且，在树脂去除工序中照射的0)2激光的波长对于硅树脂吸收性良好并且脉冲 宽度短至几μs以下，因此不产生焦糊，并且在去除了硅树脂的激光加工槽的两侧难以产 生锥状，不会降低封装基板的质量。【附图说明】 图1是利用本专利技术的进行加工的封装基板的立体图和剖视 图。 图2是示出用于实施本专利技术的中的树脂去除工序的激光装 置的主要部分的立体图。 图3是本专利技术的中的树脂去除工序的说明图。 图4是示出用于实施作为本专利技术的中的封装器件生成工序 的热扩散基板切断工序的切削装置的主要部分的立体图。 图5是示出在图4所示的切削装置的保持工作台上保持有实施了树脂去除工序后 的封装基板的状态的立体图。 图6是作为本专利技术的中的封装器件生成工序的热扩散基板 切断工序的说明图。图7是示出用于实施作为本专利技术的中的封装器件生成工序 的热扩散基板激光切断工序的激光加工装置的主要部分的立体图。 图8是示出在图7所示的激光加工装置的保持工作台上保持有实施了树脂去除工 序后的封装基板的状态的立体图。图9是作为本专利技术的中的封装器件生成工序的热扩散基板 激光切断工序的说明图。 标号说明 2 :封装基板；21 :热扩散基板；22 :分割预定线；23 :器件；24 :硅树脂；3 :激光加 工装置；31 :激光加工装置的保持工作台；32 :激光光线照射单元；322 :聚光器；33 :拍摄 单元；4 :切削装置；41 :切削装置的保持工作台；411 :退避槽；412 :吸引孔；42 :切削单元； 423 :切削刀具；43 :拍摄单元；5 :激光加工装置；51 :激光加工装置的保持工作台；511 :退 避槽；512 :吸引孔；52 :激光光线照射单元；522 :聚光器；524 :辅助气体喷射单元；53 :拍 摄单元。【具体实施方式】 以下，参照附图进一步对本专利技术的的优选实施方式进行详细 的说明。 图1的（a)和（b)示出作为被加工物的封装基板的立体图和剖视图。图1的（a) 和（b)所示的封装基板2构成为：在由厚度是400μπι的氮化铝的陶瓷构成的热扩散基板 21的正面21a上，隔着由格子状的分割预定线22形成的规定的间隔经由结合剂配设有多个 LED等器件23,并且以填充由分割预定线22形成的规定的间隔且覆盖器件23的方式包覆 娃树脂24。另外，娃树脂24以距热扩散基板21的正面21a例如300μm的厚度形成。 为了沿着多个分割预定线22分割上述封装基板2,首先实施树脂去除工序，沿着 封装基板2的分割预定线22照射脉冲激光光线而沿着分割预定线22去除包覆多个器件的 树脂，从而沿着分割预定线22使热扩散基板21的正面露出。使用图2所示的激光加工装 置来实施该树脂去除工序。图2所示的激光加工装置3具有：作为保持被加工物的保持单 元的保持工作台31 ;激光光线照射单元32,其对保持在该保持工作台31上的被加工物照射 激光光线；以及拍摄单元33,其对保持在保持工作台31上的被加工物进行拍摄。保持工作 台31形成为矩形状，其具有吸附卡盘支承台311和安装固定在该吸附卡盘支承台311上的 吸附卡盘312,在作为该吸附卡盘312的表面的载置面上利用未图示的吸引单元来保持上 述封装基板2。并且，保持工作台31构成为能够借助未图示的旋转机构进行转动。以这种 方式构成的保持工作台31能够借助未图示的加工进给单元在图2中箭头X所示的加工进 给方向上移动，并且借助未图示的分度进给单元在箭头Y所示的分度进给方向上移动。 上述激光光线照射单元32包含大致水平配置的圆筒形状的外壳321。在外壳321 内配设有未图示的脉冲激光光线振荡单元，其具有C02激光振荡器和重复频率设定单元。在 上述外壳321的末端部安装固定有用于将从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光 线聚光的聚光器322。另外，激光光线照射单元32具有聚光点位置调整单元（未图示），其 用于调整由聚光器322聚光的脉冲激光光线的聚光点位置。拍摄单元33安装固定在构成上述激光光线照射单元32的外壳321的末本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板的加工方法，所述封装基板中，在热扩散基板的正面上在通过形成为格子状的分割预定线划分的多个区域中分别配置有器件，并利用树脂包覆该多个器件，在所述封装基板的加工方法中，沿着分割预定线将该封装基板分割成各个封装器件，其特征在于，所述封装基板的加工方法包含：树脂去除工序，沿着封装基板的分割预定线照射脉冲激光光线，沿着分割预定线去除包覆该多个器件的树脂，由此使热扩散基板的正面沿着分割预定线露出；以及封装器件生成工序，沿着分割预定线对实施该树脂去除工序后的封装基板进行分割，由此生成各个封装器件，在该树脂去除工序中照射的脉冲激光光线是CO2激光，且脉冲宽度被设定为几μs以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：相川力，高桥邦充，木村早希，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP