晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。对在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的由硅构成的晶片进行加工，具有如下步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束而在晶片的内部形成改质层；分割步骤，在实施改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片，在改质层形成步骤中，避开与分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，该脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及，在照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束而 在晶片内部形成了改质层后，对晶片施加外力而W改质层为起点将晶片分割成多个器件忍 片。
技术介绍
在娃晶片（W下，有时简称为晶片）的正面上通过分割预定线划分而形成有1C、 LSI等多个器件，通过加工装置将该娃晶片分割成各个器件忍片，分割后的器件忍片广泛应 用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。 关于晶片的分割，广泛采用使用被称为划片银的切削装置的划片方法。在划片 方法中，使由金属或树脂将金刚石等磨粒固化并形成为厚度30 ym左右的切削刀具W SOOOOrpm左右的高速旋转并且切入晶片，从而切削晶片，并分割成各个器件忍片。 另一方面，近年来提出了如下的方法：将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光 束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，沿着分割预定线照射脉冲激光束而在 晶片内部形成改质层，然后施加外力将晶片分割成各个器件忍片（例如，参照日本专利第 4402708号公报）。 改质层是指密度、折射率、机械性强度和其他的物理特性成为与周围不同的状态 的区域，除了烙融再硬化区域、折射率变化区域、绝缘破坏区域，还包含裂纹区域和运些区 域混杂的区域。 娃的光学吸收端位于相当于娃的带隙（1. IeV)的光的波长IOSOnm附近，会利用松 散的娃吸收波长比其短的光。 在W往的改质层形成方法中，通常使用渗杂了钦（Nd)的Nd :YAG脉冲激光（例如， 参照日本特开2005-95952号公报），该钦（Nd)对接近光学吸收端的波长1064皿的激光进 行振荡。 但是，由于Nd :YAG脉冲激光的波长1064皿接近娃的光学吸收端，因此存在激光束 的一部分在夹着聚光点的区域被吸收而无法形成充分的改质层、从而无法将晶片分割成各 个器件忍片的情况。 因此，本申请人发现如下事实：当使用设定为波长1300~HOOnm的范围的例如波 长为1342nm的YAG脉冲激光在晶片的内部形成改质层时，能够在夹着聚光点的区域中降低 激光束的吸收而形成良好的改质层，并且能够顺杨地将晶片分割成各个器件忍片（参照日 本特开2006-108459号公报）。 专利文献1 :日本特许第4402708号公报 专利文献2 :日本特开2005-95952号公报 专利文献3 :日本特开2006-108459号公报
技术实现思路
但是，研究发现产生了如下运样的新问题：当W与之前形成的改质层相邻的方式 沿着分割预定线将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部来进行照射而在晶片内部形成 改质层时，激光束会在照射了脉冲激光束的面的相反侧的面、即晶片的正面上发生散射而 攻击形成在正面上的器件并使其受到损伤。 在验证了该问题后，推测可能是如下情况：微细的裂纹从之前形成的改质层传播 到晶片的正面侧，该裂纹使接下来照射的脉冲激光束的透射光折射或反射而攻击器件。 本专利技术是鉴于运一点而完成的，其目的在于提供一种，在对娃晶 片照射波长被设定为1300~HOOnm的范围的脉冲激光束而在晶片内部形成改质层时，能 够抑制透射光使晶片正面的器件受到损伤的情况。 根据本专利技术，提供一种，通过激光加工装置对由娃构成的晶片进 行加工，所述晶片是在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的，所述激光加工 装置具有：保持机构，其保持被加工物；激光束照射机构，其照射对于由该保持机构保持的 被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；W及加工进给 机构，其对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，该的特 征在于，该具有如下的步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲 激光束的波长设定为1300nm~HOOnm的范围；改质层形成步骤，在实施该波长设定步骤之 后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区 域照射脉冲激光束并且对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给而在晶片 的内部形成改质层；W及分割步骤，在实施该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而W该 改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，在该改质层形成步骤中，避开与该分割预 定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，其中所述脆弱部分因发生散 射而照射的脉冲激光束而受到损伤。 根据本专利技术的，即使存在从之前形成的改质层传播而来的微细的 裂纹，由于接下来照射的脉冲激光束W避开器件的脆弱部分的方式进行照射，因此不会出 现脉冲激光束发生散射而攻击器件的脆弱部分的情况，能够解决使形成在晶片的正面上的 器件受到损伤运样的问题。【附图说明】 图1是适于实施本专利技术的的激光加工装置的立体图。 图2是激光束产生单元的框图。 图3是娃晶片的正面侧立体图。 图4是说明器件的对于激光束脆弱的部分的放大图。 图5是示出将娃晶片的正面侧粘贴于划片带的状态的立体图，该划片带的外周部 被粘贴于环状框架。 图6是借助划片带被环状框架支承的娃晶片的背面侧立体图。 图7是示出激光束的光路的示意图。 阳0巧]图8是说明改质层形成步骤的立体图。 图9是示出形成在晶片内部的改质层与对于激光束脆弱的部分之间的关系的剖 视图。 图10是分割装置的立体图。 图11是示出分割步骤的剖视图。 标号说明 2 :激光加工装置；11 :娃晶片；13a :第1分割预定线；13b :第2分割预定线；15 :器 件；17 :对于激光束脆弱的部分；19 :改质层；21 :器件忍片；28 :卡盘工作台；34 :激光束照 射单元；35 :激光束产生单元；37 :聚光器；39 :摄像单元；62 :激光振荡器；66 :脉冲宽度调 整机构；72 :聚光透镜；80 :分割装置；T :划片带；F :环状框架。【具体实施方式】 W下，参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。当参照图1时，示出适合实施本发 明的的激光加工装置2的概略立体图。 激光加工装置2包含W能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第1 滑块6。第1滑块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电机10构成的加工进给机构12而沿着一对 导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。 第2滑块16 W能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第1滑块6上。即，第2滑块 16借助由滚珠丝杠18和脉冲电机20构成的分度进给机构22而沿着一对导轨24在分度进 给方向、即Y轴方向上移动。 在第2滑块16上隔着圆筒支承部件26搭载有卡盘工作台28,卡盘工作台28能 够旋转，并且能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动。 在卡盘工作台28上设置有夹持环状框架的夹具30,该环状框架支承由卡盘工作台28吸引 保持的晶片。 在静止基台4上竖立设置有柱32,在该柱32上安装有激光束照射单元34。激光 束照射单元34由收纳在外壳33内的图2所示的激光束产生单元35和安装在外壳33的末 端的聚光器37构成。 如图2所示，激光束产生单元35包含：振荡YAG脉冲激光的激光振荡器62、重复 频率设定机构64、脉冲宽度调整机构66、功率调整机构68。在本实施方式中，作为激光振荡 器62采用了振荡出波长1342nm的脉冲激光的YAG脉冲激光振荡器。 在外壳35的末端部配设有摄像单元39,该摄像单元39与聚光器37在X轴方向上 对齐，检测应该进行激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，所述晶片是在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的，所述激光加工装置具有：保持机构，其保持被加工物；激光束照射机构，其照射对于由该保持机构保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给机构，其对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施该波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束并且对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，在该改质层形成步骤中，避开与该分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，其中所述脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古田健次，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP