光器件晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供光器件晶片的加工方法，能够不对光设备层施加损伤而去除与被覆在基板的背面上的金属膜的分割预定线对应的区域，该方法在基板表面上层叠光器件层，在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线和在与第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在基板的背面上被覆金属膜，包括：从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第1分割预定线去除金属膜，形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤；以及从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第2分割预定线去除金属膜，形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及如下所述的在基板表面上层叠光器件层，在由在规定的方向延伸的多个第I分割预定线和在与该第I分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线来划分的多个区域上形成光器件，在基板的背面被覆有金属膜。
技术介绍
在光器件制造步骤中，在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅基板等基板的表面上被覆由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层，在由在规定的方向延伸的多个第I分割预定线和在与该第I分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线来划分的多个区域上形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。并且，通过沿着第I分割预定线及第2分割预定线切断光器件晶片，分割形成有光器件的区域来制造各个光器件。 作为上述沿着第I分割预定线及第2分割预定线分割光器件晶片的分割方法，公开有如下所述的方法沿着第I分割预定线及第2分割预定线照射相对于构成光器件晶片的基板具有吸收性的波长的脉冲激光光线来进行消融加工，从而形成作为断裂起点的激光加工槽，通过沿着形成有作为该断裂起点的激光加工槽的第I分割预定线及第2分割预定线施加外力来进行割断(例如，参照专利文献I)。另外，作为沿着第I分割预定线及第2分割预定线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在该基板的背面被覆了金属膜，由此形成该光器件晶片，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括：第1金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第1分割预定线去除该金属膜，从而形成第1激光加工槽；以及第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽，在该第2金属膜去除步...

【技术特征摘要】
2011.06.21 JP 2011-1377591.一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第I分割预定线和在与该第I分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在该基板的背面被覆了金属膜，由此形成该光器件晶片，该光器件晶片的加工方法的特征在于包括 第I金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第I分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第I分割预定线去除该金属膜，从而形成第I激光加工槽；以及 第2金属膜去除步骤，从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线，沿着该第2分割预定线去除该金属膜，从而形成第2激光加工槽， 在该第2金属膜去除步骤中，将与在该第I金属膜去除步骤中形成的第I激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。2.一种光器件晶片的加工方法，在基板的表面层叠光器件层，在由在规定方向上延伸的多个第I分...

【专利技术属性】
技术研发人员：相川力，远藤智裕，星野仁志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：