温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；形成一凹凸结构于该成长基板上；形成一半导体组件层于该凹凸结构上；以及改变该成长基板与该半导体组件层的温度。...
该专利属于财团法人交大思源基金会所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人交大思源基金会授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。