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本发明公开了一种在铜制程MIM电容工艺中采用对准标记的方法，其属于集成电路制造技术，具体包括：用光刻胶打开前工艺层次的对准标记并用该光刻胶挡住其他区域；进行蚀刻工艺并留下铜；淀积MIM电容层，将留下的铜作为光刻对准标记；上述技术方案的有益效...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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