本发明专利技术涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度使得氮化硅沉积的速度降低。本发明专利技术还提供了一种MIM电容的形成方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及0.18 μ m工艺MM电容的制造，更具体地涉及用于在0.18 μ m工艺MM电容制造过程中沉积氮化硅薄膜的改进的方法。
技术介绍
电容作为存储电荷、耦合以及滤波器件被广泛应用在半导体集成电路中。现有的集成电路电容中，金属-绝缘体-金属型(MIM, Metal-1solation-Metal)电容逐渐成为射频集成电路中的主流，尤其在混频/射频CMOS制程上的应用已非常普遍。原因在于，其通常制作在金属互连层中，既与集成电路工艺相兼容，又与衬底间距离较远，可以克服许多其他类型的电容具有的寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的缺点。MIM电容在集成电路中通常位于多层器件结构的上层，其结构更接近于典型意义的电容，即在金属电极板之间具有电介质的电容。图1为现有技术的M頂电容结构的剖面图。如图1所示，MIM电容100包括下电极101、上电极102以及位于这两个电极之间的绝缘层103，这样形成的结构能实现电荷存储功能。另外，该电容的下电极101和上电极102还分别通过在层间介质层106内形成的连接孔连接至位于层间介质层106表面内的金属导电结构104和105。该现有技术的MM电容通常采用高介电常数的氮化硅(SiN)薄膜形成绝缘层103。氮化硅薄膜具有优良的遮断性和抗氧化性，因此常被用在半导体元件的制造中，例如用作阻蚀层、隔离层或门电介质层，以及用在氧化物/氮化物堆叠中。随着超大规模集成电路的集成度不断提高，器件特征尺寸不断等比例缩小，电路内制作的电容尺寸也相应缩小，对电容制作的均匀性、一致性提出了更为严格的要求。在实践中发现MM电容中的氮化硅薄膜对电容的电学特性有很大的影响。等离子化学气相沉积(PECVD)是产业上广泛用于制备氮化硅薄膜的方法之一，其借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体很容易发生反应，从而沉积出所期望的薄膜。其以基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点而备受青睐。但是，使用目前的PECVD工艺所得到的氧化硅薄膜仍然存在很多缺陷，并且由于生成的SiN的S1-N之间的键合本身固有的不稳定性，具有含SiN的绝缘层的MIM电容的性能参数会降低，比如会影响电压电容曲线系数以及在高电压下的漏电流较高等。现有的0.18 μ m混频/射频工艺中的MIM电容主要缺点表现在电容击穿电压较低以及漏电较大。按照目前工艺制作的MIM电容在大约12V的电压下其电容漏电就会产生Iy A的电流。虽然在标准0.18μπι操作电压(3.3/1.8V)下可以适用，但是当运用到0.18μπι高压工艺(工作电压> 30V)时就不再适用。因此，对用于在0.18 μ m工艺MIM电容制造过程中沉积氮化硅薄膜的改进的PECVD工艺有很大的需求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于通过改进MM电容中的氮化硅层的沉积工艺而提高氮化硅薄膜的电性厚度和物理厚度的均匀性，使MM电容的击穿电压、漏电流等电学特性得以显著改善。为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于在0.18 μ m工艺MM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中:向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。优选地,所述N2气体的流速在960±96sccm之间。优选地，所述SiH4气体的流速在500±50sccm之间。优选地，所述NH3气体的流速在4390±439sccm之间。优选地，所述PECVD反应腔的压力在1.6Torr至1.8Torr之间。优选地，所述PECVD反应腔的温度在400±20°C之间。本专利技术还提供了一种用于制作0.18 μ m工艺MM电容的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:提供衬底；在所述衬底上形成下电极金属层；采用前述任意一项所述的方法在所述下电极金属层上沉积氮化硅薄膜，形成氮化硅绝缘层；在所述氮化硅绝缘层上形成上电极金属层；刻蚀所述上电极金属层，形成金属上电极；刻蚀所述氮化硅薄膜和所述下电极金属层，形成电容绝缘体及金属下电极。采用本专利技术的方法降低了氮化硅薄膜沉积速度，提升了膜的致密性，在不改变膜厚的情况下提高耐压能力，并且提高了工艺的可控制性，满足了 MIM电容耐高压、低漏电的需求。附图说明以下将结合附图和实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的详细描述。其中:图1示出了现有技术的MM电容结构的剖面图。图2示出了根据本专利技术的氮化硅薄膜的形成方法的流程图。图3示出了采用根据本专利技术的方法前后的MIM电容击穿电压的改善效果。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点更加明显易懂，以下结合附图和具体实施例进一步详细描述本专利技术。需要说明的是，附图中的各结构只是示意性的而不是限定性的，以使本领域普通技术人员能够最佳地理解本专利技术的原理，其不一定按比例绘制。图2示出了根据本专利技术的氮化硅薄膜的形成方法的流程图，以下将结合MM电容的制作过程来说明本专利技术所提供的氮化硅薄膜的形成方法。在制作MM电容的过程中，首先将提供衬底。所提供的衬底可以是单纯的硅衬底，也可以是已形成金属氧化物半导体晶体管的硅衬底，还可以是已形成底层金属连线结构的衬底。接着，在所述衬底上形成下电极金属层，该金属层可以由铝构成，厚度可以例如大约为2000人。在形成下电极金属层之后，开始实施本专利技术所提供的沉积氮化硅薄膜的方法。所沉积的薄膜的厚度可以由具体的MIM电容值需求决定。例如，对于1.5fF/ μ m2的MIM电容工艺，薄膜的厚度大约为420人。如图3所示，在步骤201中，将晶圆置于PECVD反应腔中，在本专利技术的实施例中该反应腔具有两条气体通路。通过第一管路注入SiH4气体作为Si源，而通过第二管路注入NH3气体作为N源，主要通过这两种气体之间的化学反应来生成氮化硅。在步骤202中，还通过第二管路向PECVD反应腔注入N2气体作为补充的N源。在本专利技术的实施例中，仅在一个管路中通入补充的N2气体，由此减少N源的流速。在步骤203中，对反应腔的各个参数进行调节以使得氮化硅以较低的速度沉积。具体而言，同时调节反应腔中通入气体的流速、反应腔的温度及压力以及预热时间。举例来说，在本专利技术的一个优选实施例中，SiH4的流速大约为500sccm,NH3的流速大约为4390sccm,N2的流速大约为960sccm,反应腔内的平均压力大约为1.7torr，反应腔内的平均温度大约为400°C，而晶圆的预热时间大约为10秒。在此条件配置下，通过化学反应得到的氮化硅将以较低的速率沉积，从而在MM电容的下金属电极上形成更加致密并且均匀的氮化硅薄膜。形成氮化硅薄膜之后，在该绝缘层上形成上电极金属层，其可以由金属钽化物形成，如氮化钽等，其厚度可以设置为大约820人。在此之后，可以利用刻蚀技术在上电极金属层上形成金属上电极，并且利用刻蚀的方法对氮化硅绝缘层及下电极金属层进行刻蚀而形成电容绝缘体及金属下电极。由此，我们得到了基本的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。
【技术特征摘要】
1.一种用于在0.18μπι工艺MM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中: 向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且 通过调节SiH4气体、NH3气体以及Ν2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述N2气体的流速在960±96sccm之间。3.按权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述SiH4气体的流速在500±50sccm之间。4.按权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：金宏峰，张磊，王德进，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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