【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及0.18 μ m工艺MM电容的制造,更具体地涉及用于在0.18 μ m工艺MM电容制造过程中沉积氮化硅薄膜的改进的方法。
技术介绍
电容作为存储电荷、耦合以及滤波器件被广泛应用在半导体集成电路中。现有的集成电路电容中,金属-绝缘体-金属型(MIM, Metal-1solation-Metal)电容逐渐成为射频集成电路中的主流,尤其在混频/射频CMOS制程上的应用已非常普遍。原因在于,其通常制作在金属互连层中,既与集成电路工艺相兼容,又与衬底间距离较远,可以克服许多其他类型的电容具有的寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的缺点。MIM电容在集成电路中通常位于多层器件结构的上层,其结构更接近于典型意义的电容,即在金属电极板之间具有电介质的电容。图1为现有技术的M頂电容结构的剖面图。如图1所示,MIM电容100包括下电极101、上电极102以及位于这两个电极之间的绝缘层103,这样形成的结构能实现电荷存储功能。另外,该电容的下电极101和上电极102还分别通过在层间介质层106内形成的连接孔连接至位于层间介质层106表面内的金属导电结构104和105 ...
【技术保护点】
一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法,其特征在于,分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体,所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜,其中:向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体;并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。
【技术特征摘要】
1.一种用于在0.18μπι工艺MM电容中形成氮化硅薄膜的方法,其特征在于,分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体,所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜,其中: 向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体;并且 通过调节SiH4气体、NH3气体以及Ν2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。2.按权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述N2气体的流速在960±96sccm之间。3.按权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述SiH4气体的流速在500±50sccm之间。4.按权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:金宏峰,张磊,王德进,
申请(专利权)人:无锡华润上华半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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