硅氧化物膜的成膜方法技术

本发明专利技术涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近来，半导体集成电路装置的微细化逐渐发展。由于这样的微细化的发展，对于半导体集成电路装置中使用的各种薄膜而言，要求进一步的薄膜化以及膜质的进一步优质化。例如，专利文献I中记载了用于形成薄的氧化膜等绝缘膜的绝缘膜的形成方法。现有技术文献_7] 专利文献专利文献1:日本特开2003-297822号公报
技术实现思路
为了进一步薄膜化，改善薄膜的表面粗糙度是重要的。这是由于，若表面粗糙度差则即使进行薄膜化也难以获得均匀的膜厚。另外，作为薄膜所要求的新课题，改善其与基底之间的界面粗糙度也变得很重要。若界面粗糙度差，则基底与薄膜之间的界面产生界面态，使电子、空穴的迁移率恶化或者电荷被捕获。专利文献I中针对形成薄的氧化膜、提升薄的氧化膜的电特性有所记载，但针对改善表面粗糙度以及改善界面粗糙度则没有任何记载。本专利技术是鉴于上述情况而进行的，提供一种，其能够得到表面粗糙度或界面粗糙度良好、或者表面粗糙度和界面粗糙度两者均良好的硅氧化物膜。本专利技术的第一方式所述的具备:(I)在基底上形成晶种层的工序；以及(2)在前述晶种层上形成硅膜的工序；以及(3)将前述硅膜和前述晶种层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备：（1）在基底上形成晶种层的工序；以及（2）在所述晶种层上形成硅膜的工序；以及（3）将所述硅膜和所述晶种层氧化，在所述基底上形成硅氧化物膜的工序。

【技术特征摘要】
2011.10.28 JP 2011-237977;2012.09.18 JP 2012-20411.一种硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备: (1)在基底上形成晶种层的工序；以及 (2)在所述晶种层上形成硅膜的工序；以及 (3)将所述硅膜和所述晶种层氧化，在所述基底上形成硅氧化物膜的工序。2.根据权利要求1所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述晶种层是通过使氣基娃烧系气体、或丙娃烧以上的闻阶娃烧系气体、或氣娃烧系气体吸附到所述基底上而形成的， 所述硅膜是通过向所述晶种层上供给乙硅烷以下的低阶硅烷系气体或氨基硅烷系气体或氯硅烷系气体而形成的。3.根据权利要求2所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述氨基硅烷系气体选自包含以下物质中的至少一种的气体，所述物质为: BAS即丁基氣基娃烧、 BTBAS即双(叔丁基氨基)硅烷、 DMAS即二甲基氨基硅烷、 BDMAS即双(二甲基氨基)硅烷、 TDMAS即三(二甲基氨基)硅烷、 DEAS即二乙基氨基硅烷 、 BDEAS即双(二乙基氨基)硅烷、 DPAS即二丙基氨基硅烷、 DIPAS即二异丙基氨基硅烷、 六乙基氨基乙硅烷、(1)((R1R2)N)nSi2H6-n-m(R3)m,(2)((Rl)NH)nSi2H6-n-m(R3)m、(3)((R1R2)N)nSi2H6-n-m(Cl)m,(4)((Rl)NH)nSi2H6-n-m(Cl)m, 其中，(I)、(2)式中，η:氨基数、m:烷基数； (3)、(4)式中，η:氨基数、m:氯数； (I) (4)式中，n=l 6的整数、m=0、l 5的整数； R1、R2、R3=CH3、C2H5、C3H7，R1=R2=R3 或者也可以不相同。4.根据权利要求2所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述丙硅烷以上的高阶硅烷系气体是用SimH2m+2式表示的硅的氢化物，其中，m为3以上的自然数；或者用SinH2n式表示的硅的氢化物，其中，η为3以上的自然数。5.根据权利要求4所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述用SimH2m+2式表示的硅的氢化物选自包含以下物质中的至少一种的气体，所述物质为: 丙硅烷即Si3H8' 丁娃烧即Si4H10^ 戊硅烷即Si5H12、 己娃烧即Si6H14^ 庚硅烷即Si7H16,其中，m为3以上的自然数； 所述用SinH2n式表示的硅的氢化物选自包含以下物质中的至少一种的气体，所述物质为: 环丙硅烷即Si3H6、 环丁硅烷即Si4H8、 环戍娃烧即Si5H10^ 环己娃烧即Si6H12^ 环庚硅烷即Si7H14, 其中，η为3以上的自然数。6.根据权利要求2所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述氯硅烷系气体是用SimH2m+2式表示的硅的氢化物的至少一个氢原子被氯原子取代而成的气体，其中，m为I以上的自然数；或者是用SinH2n式表示的硅的氢化物的至少一个氢原子被氯原子取代而成的气体，其中，η为I以上的自然数。7.根据权利要求6所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述用SimH2m+2式表示的硅的氢化物的至少一个氢原子被氯原子取代而成的气体选自包含以下物质中的至少一种的气体，所述物质为: 单氯硅烷即SiH3CU 二氯硅烷即SiH2Cl 2' 二氯乙硅烷即Si2H4Cl2、 四氯乙硅烷即Si2H2Cl4、 六氯乙娃烧即Si2Cl6、 八氯丙硅烷即Si3Cl8。8.根据权利要求2所述的硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述乙硅烷以下的低阶硅烷系气体选自包含以下物质中的至少一种的气体，所述物质为: 甲硅烷即SiH4' 乙娃烧即Si2H6O9.一种硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备: (1)在基底上形成非晶娃I旲的工序；以及 (2)对所述非晶硅膜边供给氢边升温至氧化温度的工序；以及 (3)将供给了所述氢的所述非晶硅膜在所述氧化温度下氧化，在所述基底上形成硅氧化物膜的工序。10.一种娃氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备: (1)在基底上形成非晶娃I旲的工序；以及 (2)在包含氧的气氛中，对所述非晶硅膜实施抑制再结晶化的处理的工序；以及 (3)将实施了所述抑制再结晶化的处理的所述非晶硅膜氧化，在所述基底上形成硅氧化物膜的工序。11.一种硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备: (1)在基底上边导入氧边形成非晶硅膜的工序；以及 (2)将所述边导入氧边形成的所述非晶硅膜氧化，在所述基底上形成硅氧化物膜的工序。12.一种硅氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上博纪，池内俊之，佐藤润，两角友一朗，长谷部一秀，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：