用于制备多孔硅微粒的电化学和化学蚀刻的组合方法技术

本发明专利技术的实施方式涉及通过下述制备多孔硅微粒的方法：(a)电化学蚀刻硅基材,其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度,和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜,其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻硅基材以在硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻多孔硅膜和硅基材；和(f)裂解多孔硅膜和硅基材以形成多孔硅微粒。本发明专利技术的其它实施方式涉及形成的多孔硅微粒和包含它们的阳极材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】相关串请的交叉参考本申请要求2013年01月07日提交的美国临时申请第61/749，636号的优先权。本申请还涉及2012年08月20日提交的美国专利申请号13/589，588以及2010年10月28日提交的国际申请号PCT/US2010/054577。上述各申请的全部内容通过引用纳入本文。关于联邦资助研究的声明不适用
技术介绍
制备多孔硅颗粒的现有方法遭受许多限制，包括效率、质量、电化学效能和成本有效性。因此，现在需要一种新的制备多孔硅颗粒的方法以解决前面所提到的局限性。概沭在一些实施方式中，本专利技术涉及制备多孔硅微粒的方法。在一些实施方式中，所述方法包括:(a)电化学蚀刻硅基材，其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度，和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜，其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b) ;(d)根据步骤(a)电化学蚀刻硅基材以在硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻多孔硅膜和硅基材；和(f)裂解多孔硅膜和硅基材以形成多孔硅微粒。在一些实施方式中，电化学蚀刻包括使用酸例如氢氟酸。在一些实施方式中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备多孔硅微粒的方法,其中所述方法包括:(a)电化学蚀刻硅基材,其中所述电化学蚀刻包括将所述硅基材暴露于电流密度，和其中所述电化学蚀刻在所述硅基材上制备多孔硅膜；(b)从所述硅基材分离所述多孔硅膜，其中所述分离包括以连续增量的方式逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻所述硅基材以在该硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻所述多孔硅膜和所述硅基材；和(f)裂解所述多孔硅膜和所述硅基材以形成多孔硅微粒。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·L·比斯瓦尔，M·S·王，M·塔库尔，S·L·辛萨伯格，
申请(专利权)人：威廉马歇莱思大学，洛克西德马丁有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US