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本发明的实施方式涉及通过下述制备多孔硅微粒的方法：(a)电化学蚀刻硅基材,其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度,和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜,其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复...
该专利属于威廉马歇莱思大学;洛克西德马丁有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威廉马歇莱思大学;洛克西德马丁有限公司授权不得商用。

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