浅沟槽隔离的工艺方法技术

本发明专利技术提供一种浅沟槽隔离的工艺方法，包括：提供一半导体衬底，在衬底上形成硬质掩膜层；采用刻蚀工艺在衬底中形成隔离沟槽；对硬质掩膜层进行回刻，并在隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖硬质掩膜层的表面，并对隔离介质层进行平坦化工艺；对隔离介质层进行第一次回刻；在隔离介质层表面无定形碳侧墙；对所述隔离介质层进行第二次回刻；采用刻蚀工艺去除硬质掩膜层及无定形碳侧墙，以形成浅沟槽隔离结构。本发明专利技术可避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高包含所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路工艺制造技术，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺进入深亚微米时代，0.18微米以下的元件(例如CMOS集成电路的有源区之间)大多采用浅沟槽隔离结构(STI)进行横向隔离来制作。集成电路包括许多形成在半导体衬底上的晶体管，一般来说，晶体管是通过绝缘或隔离结构而彼此间隔开。通常用来形成隔离结构的工艺是浅沟槽隔离(shallow trench isolat1n,简称STI)工艺。 用STI做隔离的器件，一般对STI的漏电的要求都非常高，而STI顶部边缘凹陷的形貌是影响STI边缘漏电的一个重要因素。当STI顶部边缘凹陷变深的时候，会对后期的许多工艺造成影响。例如，在进行多晶硅刻蚀的时候，由于STI顶部边缘凹陷较深，很难将凹陷内的多晶硅刻蚀干净，从而造成STI边缘漏电；在硅化物生长工艺中，如果STI顶部边缘凹陷较深，硅化物则会沿着有源区边缘往下生长，产生漏电。 浅沟槽隔离结构作为一种器件隔离技术，其具体工艺包括:参考图1，提供衬底101 ;参考图2，在所述衬底101上形成氮化硅层103 ;参考图3，形成贯穿所述氮化硅层103的开口 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口；步骤S02：采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；其中，所述隔离沟槽的底部位于所述衬底中；步骤S03：对所述硬质掩膜层进行回刻，并在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；步骤S04：沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的硬质掩膜层的表面；步骤S05：沿所述开口对所述隔离介质层进行第一次回刻，使所述隔离介质层的上表面位于所述硬质掩膜层中；步骤S06：在所述隔离介质层表面形成无定形碳层，并对无定形...

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，包括: 步骤SOl:提供一半导体衬底，在所述衬底上形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口； 步骤S02:采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；其中，所述隔离沟槽的底部位于所述衬底中； 步骤S03:对所述硬质掩膜层进行回刻，并在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层； 步骤S04:沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的硬质掩膜层的表面； 步骤S05:沿所述开口对所述隔离介质层进行第一次回刻，使所述隔离介质层的上表面位于所述硬质掩膜层中； 步骤S06:在所述隔离介质层表面形成无定形碳层，并对无定形碳层进行刻蚀以形成无定形碳侧墙； 步骤S07:以无定形碳侧墙为掩膜对所述隔离介质层进行第二次回刻；其中，所述隔离介质层的上表面高于所述衬底的上表面； 步骤S08:采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层及无定形碳侧墙，以形成浅沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，所述硬质掩膜层为单层结构且厚度大于200 A,所述硬质掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31