一种浅沟槽隔离结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；2）于所述半导体衬底内部形成沟槽；3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；4）于所述沟槽底部形成保护层；5）将所述保护层以上的热氧化物层减薄至第二厚度；6）去除所述保护层；7）于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。本发明专利技术在保证沟槽顶部转角圆角化实现的同时，并不对半导体衬底造成任何损伤的情况下，大大提高了采用高密度等离子体化学气相淀积工艺于沟槽内填充绝缘介质的质量，从而避免了半导体器件漏电流等缺陷的产生，提高了半导体器件的质量。本发明专利技术步骤简单易行，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件结构的制作方法，特别是涉及。
技术介绍
随着半导体工艺进入深亚微米时代，0.13微米以下的元件例如CMOS器件中，NMOS晶体管和PMOS晶体管之间的隔离均采用STI (浅沟槽隔离)工艺形成。传统的STI的制作方法通常包括下列步骤:首先，提供半导体衬底，在半导体衬底上形成刻蚀阻挡层；接着，在所述刻蚀阻挡层上形成光掩膜图形，使得所述刻蚀阻挡层的部分区域被暴露；对刻蚀阻挡层及刻蚀阻挡层下层的半导体衬底进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层和所述半导体衬底中形成沟槽；接着，向所述沟槽内填充绝缘介质，形成STI。这种传统的STI的制作方法较简单，但对于小特征尺寸的半导体器件来说，传统工艺所制作的STI的往往会具有绝缘介质填充效果不佳、漏电流增大、尤其是沟槽顶部尖角导致电学性能恶化严重等严重缺陷，因此，对传统的STI的制作方法进行改进已是势在必行。现有的一种STI的改进工艺步骤如下:步骤一，采用光刻工艺于半导体衬底内部形成沟槽；步骤二，采用热氧化工艺对所述沟槽的侧壁及底部进行氧化，获得一层较厚的热氧化层，以使所述沟槽顶部转角圆角化；步骤三，采用化学气相淀积工艺于所述沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；2）刻蚀所述半导体衬底以于所述半导体衬底内部形成沟槽；3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；4）于所述沟槽底部形成保护层；5）将所述保护层以上的热氧化物层减薄至第二厚度；6）去除所述保护层；7）于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆勇，周儒领，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31