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本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤：1）于半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；2）于所述半导体衬底内部形成沟槽；3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；4）于所述沟槽底部形成保护层；5）将所述保护层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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